FBE- Elektronik Mühendisliği Lisansüstü Programı - Yüksek Lisans
Bu koleksiyon için kalıcı URI
Gözat
Konu "Active filters" ile FBE- Elektronik Mühendisliği Lisansüstü Programı - Yüksek Lisans'a göz atma
Sayfa başına sonuç
Sıralama Seçenekleri
-
ÖgeAkım Modlu İşlemsel Kuvvetlendirici Tasarımı Ve Uygulamaları(Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Altun, Mustafa ; Kuntman, Hakan ; Elektronik Mühendisliği ; Electronics EngineeringBu çalışmada, 4 adet CMOS akım modlu işlemsel kuvvetlendirici (COA) yapısı sunulmuştur. Literatürdeki diğer benzer COA yapılarıyla karşılaştırıldığında, önerilen herbir COA’nın birtakım üstünlükleri vardır. COA’ların giriş dirençlerini düşürmek amacıyla pozitif geribesleme tabanlı yeni bir yöntem kullanılmıştır. Bu yöntem önerilen 4 COA yapısının 3’ünde kullanılmıştır. Benzetimler SPICE programı ile yapılmıştır. 0.35μm n-kuyulu CMOS teknolojisi kullanılmış ve tranzistorlar BSIM3v3 ile modellenmiştir. NMOS ve PMOS tranzistorler için eşik gerilimleri sırasıyla 0.5 V ve -0.7 V , besleme gerilimleri ise ±1.5 V dur. Benzetim sonuçlarına göre, önerilen ilk COA yapısının kazanç bandgenişliği çarpımı çok yüksektir, 200 Mhz’in üzerindedir. Yeni bir AB sınıfı giriş katının kullanıldığı ikinci COA yapısı ise yüksek CMRR, 113 dB, sağlamaktadır. Tamamen farksal üçüncü COA yapısında giriş ve çıkış empedanslarını iyileştirmek için yeni yöntemler kullanılmıştır. Son larak, yüksek hızda çalışan tamamen farksal dördüncü COA devresi çok yüksek çıkış direnci, 6.1 GΩ, sağlamaktadır. Uygulama devresi olarak ikinci derecen COA tabanlı süzgeçler tasarlanmıştır. Bu önerilen 4 süzgeçden biri gerilim modunda diğerleri ise akım modunda çalışmaktadır. Süzgeçlerin benzetim sonuçları önerilen COA yapılarının yüksek doğrulukta çalıştığının kanıtıdır.
-
ÖgeCFOA kullanan optimum duyarlıklı aktif-R filtre sentezi(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2001) Alkan, Demet ; Acar, Cevdet ; 104141 ; Elektronik MühendisliğiBu çalışmada, ikinci dereceden aktif-R filtrelerin akım geribeslemeli işlemsel kuvvetlendirici (CFOA) kullanarak gerçeklenmesi araştırılmış ve bu filtrelerin devre parametrelerine göre optimum kutup frekansı ve optimum kutup kalite faktörü duyarlığına sahip olabilmesi için gerekli koşul elde edilmiştir. Ardından, bu koşul ve diğer duyarlık koşulları kullanılarak optimum duyarlıklı, CFOA kullanan alçak- geçiren, yüksek-geçiren, band-geçiren ve tüm-geçiren aktif-R filtreler ve bu filtrelere ait devre parametrelerinin değerleri elde edilmiştir. ikinci bölümde, önce sentezde kullanılan aktif eleman CFOA genel olarak tanıtılmış daha sonra bu elemanla oluşturulan yapıtaşları sunulmuştur. Üçüncü bölümde öncelikle gerilim işlemsel kuvvetlendirici (VOA) ve CFOA kullanan aktif-R filtreler hakkında bilgi verilmiştir. Ardından CFOA kullanan ikinci dereceden aktif-R filtrelerin gerçeklenmesi için, durum-uzayı tekniğini kullanan sentez metodu sunulmuştur. Sentezin ilk adımında durum-değişkenleri ve çıkış eşitlikleri ve gerçeklenmesi istenen filtreye ait transfer fonksiyonu kullanarak işaret-akış diyagramına geçilmiştir. Daha sonra işaret akış-diyagramını oluşturan alt- diyagramlar ve onlara karşı düşen, CFOA kullanan temel alt-devreler belirlenmiştir. Bu alt-devrelerin işaret-akış diyagramına uyacak şekilde birleştirilmesi sonucunda da, istenen filtre devresi genel olarak elde edilmiştir. Dördüncü bölümde ilk olarak duyarlık hakkında genel bilgi verilmiş ve ardından, ikinci dereceden aktif-R filtrelerin devre parametrelerine göre optimum kutup frekansı ve optimum kutup kalite faktörü duyarlığına sahip olabilmesi için gerekli koşul elde edilmiştir. Duyarlığın optimizasyonu için kullanılan ölçüt Schoeffler'in kriter fonksiyonudur. Daha sonra optimum duyarlık koşullannı sağlayan ay, b,, c, ve d parametreleri belirlenmiş ve bu parametreler kullanılarak optimum duyarlıklı, CFOA kullanan ikinci dereceden alçak-geçiren, yüksek-geçiren, band-geçiren ve tüm-geçiren aktif-R filtreler gerçeklenmiştir. Dördüncü bölümde ayrıca, akım geribeslemeli işlemsel kuvvetlendiricinin sahip olduğu idealsizlik etkileri gözönüne alınmış ve bu etkiler, alçak-geçiren ve band- geçiren aktif-R filtreler için kompanze edilmiştir. Bu bölümün sonunda, elde edilen kompanze edilmiş alçak-geçiren ve band-geçiren aktif-R filtreler Spice simülasyon programında incelenmiştir ve filtrelerin genlik karakteristikleri ideal karakteristiklerle karşılaştırmıştır. Elde edilen sonuçlar, teorik öngörüleri doğrulamaktadır. Beşinci bölümde, bu çalışmanın sonuçlan ve neden önem taşıdığı anlatılmış ayrıca CFOA kullanan, optimum duyarlıklı aktif-R filtrelerin literatürdeki yerinden bahsedilmiştir.
-
ÖgeDo-ota Elemanı İle Aktif Devre Sentezi(Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Candan, Deniz ; Acar, Cevdet ; Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği ; Electronics and Communication EngineeringBu çalışmada, işaret akış grafı yöntemi kullanılarak aktif devre sentezi yapılmıştır. Farklı temel alt devreler seçilerek, ikinci dereceden akım transfer fonksiyonlarını gerçekleyen çeşitli işaret akış grafları sentezlenmiştir. Sonuç olarak elde edilen bazı akım-modu devreler iki kapasite ve minimum sayıda DO-OTA içerir. Akım-modu çalışma sayesinde devreler yüksek frekanslarda da çalışabilir. Bütün devre kapasitansları topraklı bir uca sahiptir, böylece bazı parazitik kapasitanslar kompanze edilebilir. Ayrıca bütün DO-OTA'ların bir giriş ucu topraklıdır. Temel bir devre kullanılarak bazı filtre fonksiyonları gerçeklenmiştir. Basamaklı LC tipi filtrelerin aktif simülasyonu için bir metot önerilmiştir. Bu metot sonucunda bulunan devre minimum sayıda DO-OTA içerir. Genel bir reaktans fonksiyonunun DO-OTA kullanılarak gerçeklenmesi için bir metot verilmiştir.
-
ÖgeMRC ve akım taşıyıcı elemanları ile devre sentezi(Fen Bilimleri Enstitüsü, 1995) Akbulut, Cemal Alp ; Acar, Cevdet ; 46169 ; Elektronik MühendisliğiBu tezde literatürde MOSFET-C filtre tasannu olarak bilinen aktif filtre sentezi öne sürülmektedir. Aktif filtre elemanı olacak positif akım taşıyıcı bloğu ve direnç olarak Czamul tarafından öne sürülen MRC ( MOS Resistive Circuit ) bloğu kullanılmaktadır. MRC elemanı esasında Tsividis tarafından öne sürülen yapının değiştirilmiş şeklidir. Tsividis'in öne sürdüğü yapı dengeli yapıdaki işlemsel kuvvetlendiriciler ile kullanılabilmekte ve tam olarak lineer değildi, sadece tüm çift terimli tranzistor nonlineerlikleri yok edebilmektedir. Czarnul, Tsividis' in yapısına çapraz bağlı iki MOS elemanı daha ekleyerek MRC yarışım oluşturmuştur. Böylece MRC bloğu fiziksel olarak aynı ve eş boyuttaki dört MOS tranzistordan oluşan giriş fark gerilimini çıkışta fark akımına dönüştüren, iki kontrol geriliminin farkıyla orantılı bir admitans elemanı oluşturan bir yeni yapı olarak ortaya çıkmış olmaktadır. MRC elemanının akım-gerilim bağıntısından ortaya çıkan sonuçlar aşağıdaki gibi özetlenebilir: 1) Mobilite kanal boyunca sabit varsayılmaktadır. 2)Direnç değeri eşik gerilimine ve gövde etkisi terimine bağlı değildir 3) Direnç sadece fark gerilimi ile ayarlanır ve dinamik aralık kontrol gerilimlerini aynı anda arttırarak arttırılabilir. 4) Direnç değeri taban gerilimine bağlı değildir. MRC elemanı dengeli modda olmak ararımda değildir, sadece akım çıkışındaki uç gerilimlerinin aym potansiyelde olması gerekmektedir. Bu elemanın AinamiV aralığı vb küçük işaret yüksek frekans davranışının elverişliliği bu tezde tercih edilmesinin temel nedenidir. Aktif eleman olarak seçilen positif akım taşıyıcı tanun bağıntısı gereğince MRC ile kullanılmaya uygun olduğu için seçilmektedir. Ayaca positif akün taşıyıcıların band genişliği birkaç MHz ' 1er civarında olması da önemli bir avantajdır. Bölüm 1 ' de aktif filtre tasarımının pasif filtre tasarımına karşı üstünlüğü açıklandıktan sonra alam taşıyıcı vb CMOS direnç gerçeklemeye yönelik literatürdeki çalışmalar verilmektedir. Bölüm 2 ' de alam taşıyıcının vb MRC elemanının matematiksel modellenmesi verilmektedir. işlemsel kuvvetlendirici temelli bir positif akım taşıyıcı bu bölümde verilip bu topolojinin dinamik aralığı teorik ve pratik olarak verilmektedir. Bölüm 3 ' te transfer fonksiyonu gerçeklerken kullanılabilecek temel yapı taşlan sunulmaktadır. Bölüm 4'te universal filtre gerçeklemeye yönelik işaret akış diyagramı temelli bir yöntem sunulmuş vb daha sonra basamaklı devre simülasyonu için bir yöntem üzerinde yoğunlaşılmaktadır. Bölüm 5'te ise simülasyon vb MOS sayısı minimize etme yöntemi sunulmaktadır.