Bu çalışmada, dört uçlu yüzen nulör – FTFN elemanına ilişkin yeni tümleştirilebilir CMOS iç yapıları çok yüksek geçiş iletkenlikleri elde edilecek şekilde tasarlanmış ve devrelere ilişkin başarım özellikleri SPICE benzetim ortamında gösterilmiştir. Gene FTFN elemanına yönelik yeni uygulama yapıları da ele alınarak; birinci dereceden tüm geçiren süzgeç yapısı gerçek ölçme sonuçlarıyla beraber tanıtılmış, topraklanmış endüktans ve kapasite çarpma devreleri birlikte aynı topolojik yaklaşımda elde edilmiştir. Üçüncü dereceden yüksek geçiren Chebyshev tipi bir süzgeç yapısında da önerilen topraklanmış endüktans yapısı için başarım gösterilmiştir. Bitişik devre dönüşümü kullanılarak gerilim modlu dördüncü dereceden tek aktif elemanlı alçak geçiren bir süzgeç yapısı elde edilmiş ve ayrıca video bandı uygulamaları için dördüncü deceden alçak geçiren eliptik tipi bir süzgeç yapısı akım modlu olarak FTFN elemanı kullanılarak gerçekleştirilmiş ve yapılara ilişkin başarımlar gösterilmiştir.