Yüksek Verimli E Sınıfı Dengeli Güç Kuvvetlendiricisi Tasarımı İçin Yeni Bir Yaklaşım

dc.contributor.advisor Palamutçuoğulları, Osman tr_TR
dc.contributor.author Kızılbey, Oğuzhan tr_TR
dc.contributor.authorID 441906 tr_TR
dc.contributor.department Elektronik Mühendisliği tr_TR
dc.contributor.department Electronics Engineering en_US
dc.date 2012 tr_TR
dc.date.accessioned 2012-08-31 tr_TR
dc.date.accessioned 2015-10-09T08:27:34Z
dc.date.available 2015-10-09T08:27:34Z
dc.date.issued 2013-12-16 tr_TR
dc.description (Doktora) -- İstanbul Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2012 tr_TR
dc.description (PhD) -- İstanbul Technical University, Institute of Science and Technology, 2012 en_US
dc.description.abstract Bu çalışmada, 3.5 GHz – 3.8 GHz sıklık bandında çalışan GaN transistörlü E sınıfı dengeli güç kuvvetlendiricisi tasarlanmıştır. Klasik E sınıfı yapının yüksek sıklıklarda düşük verim ile çalışması nedeniyle ilk önce yeni bir GaN transistörlü tek çıkışlı E sınıfı güç kuvvetlendiricisi önerilmiş ve gerçeklenmiştir. Dengeli yapının oluşturulabilmesi için giriş işaretinin 180° hibrit bağlayıcı ile eşit büyüklüğe ve 180° evre farkına sahip iki işarete bölünmesi gereklidir. Bunu sağlamak amacıyla, geleneksel halka hibritin dar bantlı olma ve büyük alan kaplama sorunlarını çözecek iki yeni hibrit bağlayıcı önerilmiştir. Önerilen iki yeni hibrit bağlayıcı ve geleneksel halka hibrit bağlayıcı gerçeklenmiş, ölçüm sonuçları karşılaştırılmıştır. Tasarlanan hibrit bağlayıcılar yardımıyla, dengeli güç kuvvetlendiricisi tek kart üzerinde gerçeklenmiştir. Gerçeklenen tek çıkışlı ve dengeli kuvvetlendiriciler çıkış gücü, verim, çift dereceli harmonik büyüklükleri bakımından karşılaştırılmıştır. Gerçeklemeler; 0.254 mm kalınlığına ve 2.2 dielektrik sabitine sahip, düşük kayıplı RT5880 dielektrik taban kullanılarak yapılmıştır. Sonuç olarak; önerilen hibrit yapılarının geleneksel halka hibrit bağlayıcının bant genişliğini artırdığı, kapladığı alanı küçülttüğü ve buna ek olarak dengeli E sınıfı kuvvetlendiricinin, tek çıkışlı E sınıfı kuvvetlendiriciye göre yaklaşık 3 dB daha yüksek çıkış gücüne sahip olduğu, yaklaşık 20 dB daha düşük çift dereceli harmonik bileşenlerine sahip olduğu ve güç ekli verimin her iki yapı için de %76 mertebelerinde olduğu sonuçlarına ulaşılmıştır. tr_TR
dc.description.abstract In this study, a balanced class E power amplifier has been designed for 3.5 GHz – 3.8 GHz frequency band with GaN transistor. To increase the efficiency of the conventional Class-E structure for high frequencies; a single ended high efficiency class E power amplifier proposed and realized. Because of the fact that the balanced power amplifier have to be symmetrically driven, the RF signal have to be divided into two parts balanced and unbalanced with element of hybrid coupler. Power amplifying and impedance matching was realized with GaN transistors and microstrip lines and at last two divided parts were joined with hybrid coupler again. Due to the fact that conventional ring hybrid coupler has problems such as narrow bandwidth and large area consumption, two new hybrid couplers were proposed. Proposed and conventional hybrid couplers were realized and measurement results were compared. With aid of proposed hybrid couplers, a GaN class E balanced amplifier was designed and realized on a single board. Realized balanced and single ended class E amplifiers were compared in terms of output power, efficiency and even order harmonics. Realizations are made on low loss RT5880 dielectric material with 0.254 mm width and 2.2 dielectric constant. As a result, proposed hybrid couplers increased bandwidth and decreased area consumption of conventional ring hybrid coupler. Also balanced class E power amplifier has approximately 3 dB more output power, approximately 20 dB less even order harmonics than single ended class E power amplifier with %76 power added efficiency. en_US
dc.description.degree Doktora tr_TR
dc.description.degree PhD en_US
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/11527/9651
dc.publisher Fen Bilimleri Enstitüsü tr_TR
dc.publisher Institute of Science and Technology en_US
dc.rights İTÜ tezleri telif hakkı ile korunmaktadır. Bunlar, bu kaynak üzerinden herhangi bir amaçla görüntülenebilir, ancak yazılı izin alınmadan herhangi bir biçimde yeniden oluşturulması veya dağıtılması yasaklanmıştır. tr_TR
dc.rights İTÜ theses are protected by copyright. They may be viewed from this source for any purpose, but reproduction or distribution in any format is prohibited without written permission. en_US
dc.subject Güç kuvvetlendiricisi tr_TR
dc.subject E sınıfı tr_TR
dc.subject GaN tr_TR
dc.subject Hibrit bağlayıcı tr_TR
dc.subject Power amplifier en_US
dc.subject Class E en_US
dc.subject GaN en_US
dc.subject Hybrid coupler en_US
dc.title Yüksek Verimli E Sınıfı Dengeli Güç Kuvvetlendiricisi Tasarımı İçin Yeni Bir Yaklaşım tr_TR
dc.title.alternative A New Approach For The Design Of High Efficiency Balanced Class E Power Amplifier en_US
dc.type Thesis en_US
dc.type Tez tr_TR
Dosyalar
Orijinal seri
Şimdi gösteriliyor 1 - 1 / 1
thumbnail.default.alt
Ad:
13011.pdf
Boyut:
2.82 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Açıklama
Lisanslı seri
Şimdi gösteriliyor 1 - 1 / 1
thumbnail.default.placeholder
Ad:
license.txt
Boyut:
3.16 KB
Format:
Plain Text
Açıklama