Yayın: Tight Binding and Density Functional Theory of Tailoring Electronic Properties in Al1−xInxN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Yükleniyor...
Tarih
Danışman
Bölüm / Program
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Springer International Publishing
Türü
Özet
Tanım
Dergi veya Seri
ISSN
ISBN
Haklar
CLOSED
Anahtar Kelimeler
[PHYS] Physics [physics]