Yayın: Tight Binding and Density Functional Theory of Tailoring Electronic Properties in Al1−xInxN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Yükleniyor...
Tarih
Danışman
Akademik Birim
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Springer International Publishing
Türü
Özet
Tanım
Dergi veya Seri
ISSN
ISBN
Haklar
CLOSED
Anahtar Kelimeler
[PHYS] Physics [physics]