Sıfır As’lı İkinci Harmonik Pompalamalı 5.8ghz Mosfet Karıştırıcı Tasarımı

Abstract

Bu çalışmada, Yüksek bir Dönüştürücü Kazancı verecek şekilde HyperLan uygulamaları için 5,7 GHz de çalışan İkinci Harmonik pompalamalı MOSFET karıştırıcının tasarımı ve gürültü analizi gösterilmiştir. İkinci Harmonik pompalamalı karıştırıcı yöntemi bugüne değin HyperLan uygulamalarında kullanılmamıştır. Sıfır AS’lı alıcıların tasarımında en önemli sorun olan YO evre gürültüsünü önemli ölçüde bastırabilmesi nedeniyle, birçok uygulamada kullanım için çekici bir ön-kat çözümüdür. Yarı sıklıkta çalışım, YO devresinin tasarımını kolaylaştırdığı gibi, gerekli YO güçlerinin daha kolaylıkla elde edilebilmesine olanak tanımaktadır. Bunun ötesinde, böyle bir çalışım, antenden sonra yerleştirilen bant seçici süzgeç tasarımı da kolaylaştırmaktadır Süzgeç kayıplarının azaltılması nedeniyle, daha düşük alıcı gürültü sayılarının dolayısıyla, daha yüksek dinamik sınırlarının elde edileceği beklenir. Antenden boşluğa LO sızıntınsın tümüyle yok edilişi, bu tür karıştırmanın sağlayacağı diğer önemli bir üstünlüktür. Devrenin benzeşim analizinde IBM’in 0.18μm 7RF MOSFET prosesinin BSIM3 Ver 3.1 modeli kullanılmış olup, sonuçlar kuramsal bulgularla karşılaştırılmıştır.

This paper presents the design and noise analysis of a second harmonically pumped MOSFET RF Mixer with zero-IF for HyperLan applications which operates at 5,8 GHz . Second harmonic pumping has never been used so far in HyperLan applications. It is belived that, since it provides a considerable amount of LO phase noise reduction which is the most importent problem in the design of front-ends with zero-IF, will attract its use in many applications. Half frequency operation not only simplifies the the design of LO circuits but, also the required LO powers are more readily available. Apart from that, operation of LO at half frequency simplifes the the realization of band selection filters situated right after the antenna. Almost total suppression of the LO leakage through the antenna is the another imported advantage provided by this type of mixing. MOSFET model is used in the simulation and the simulated results are compared with the theoretical findings. BSIM3 Ver 3.1 model of IBM 0.18μm 7RF MOSFET process is used in the simulation and the simulated results are compared with the theoretical findings.