Silisyum Karbür İnce Filmlerin Reaktif Doğru Akım Manyetik Alanda Sıçratma Yöntemiyle Üretimi Ve Karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada, SiC ince filmler, yüksek saflıktaki (% 99,999) Si hedef malzeme kullanılarak reaktif doğru akım manyetik alanda sıçratma yöntemiyle AISI M2 yüksek hız çeliği, mikroskop camı ve Si (100) plaka olmak üzere 3 tip altlık malzeme üzerinde biriktirilmiştir. Farklı kompozisyonlarda kaplama oluşturmak amacıyla ortama, değişen CH4/Ar gaz akış oranlarında (% 0–50) reaktif gaz verilmiştir. Deneylerdeki bu kompozisyon değişimini öncelikle harici ısıtıcı kullanmadan yaklaşık 50 °C sıcaklıkta, daha sonra aynı parametrelere sahip deneyleri harici ısıtıcı kullanarak 250 °C altında gerçekleştirerek numunelerin faz yapılarında, sertliklerinde, kompozisyonlarında ve aşınma dirençlerinde meydana gelen değişimler gözlemlenmiştir.In this study, SiC thin films were deposited on AISI M2 high-speed steel, microscope glass and Si (100) wafer substrares by the reactive DC magnetron sputtering of high purity (%99,999) Si target material. In order to create deposition at different compositions, reactive gas was introduced into the environment at a flow rate of CH4/Ar between % 0–50. Phase formations, hardness, compositions and wear resistance were first examined on the coatings deposited without using the external heater at 50 oC and then on the coatings deposited by using the heater at 250 oC.