Yeni Ftfn Yapıları Ve Uygulamaları

Abstract

Bu çalışmada, dört uçlu yüzen nulör – FTFN elemanına ilişkin yeni tümleştirilebilir CMOS iç yapıları çok yüksek geçiş iletkenlikleri elde edilecek şekilde tasarlanmış ve devrelere ilişkin başarım özellikleri SPICE benzetim ortamında gösterilmiştir. Gene FTFN elemanına yönelik yeni uygulama yapıları da ele alınarak; birinci dereceden tüm geçiren süzgeç yapısı gerçek ölçme sonuçlarıyla beraber tanıtılmış, topraklanmış endüktans ve kapasite çarpma devreleri birlikte aynı topolojik yaklaşımda elde edilmiştir. Üçüncü dereceden yüksek geçiren Chebyshev tipi bir süzgeç yapısında da önerilen topraklanmış endüktans yapısı için başarım gösterilmiştir. Bitişik devre dönüşümü kullanılarak gerilim modlu dördüncü dereceden tek aktif elemanlı alçak geçiren bir süzgeç yapısı elde edilmiş ve ayrıca video bandı uygulamaları için dördüncü deceden alçak geçiren eliptik tipi bir süzgeç yapısı akım modlu olarak FTFN elemanı kullanılarak gerçekleştirilmiş ve yapılara ilişkin başarımlar gösterilmiştir.In this study, new integrated CMOS four terminal floating nullor – FTFN structures have been proposed with their very high transconductance parameters. Performances of the proposed circuits have been tested with the SPICE simulation program. Moreover, some aplication circuits using FTFNs have also been proposed in this thesis. A first order all pass filter with the simulations and experimentally measured results, a grounded inductance simulation and a capacitor multiplier in the same circuit topology have been proposed. There is also a third order high pass Chebyshev filter realisation using the proposed grounded inductance simulation with a given performance success. By using the adjoint network transformation method, a voltage mode fourth order low pass filter with a single operational amplifier is transformed into the current mode equivalent using FTFN as the active element. There is also a FTFN based current-mode fourth-order low-pass elliptic filter realization for the video band applications with the successfully simulated results.