EE- Nükleer Araştırmalar Lisansüstü Programı - Yüksek Lisans

Bu koleksiyon için kalıcı URI

http://hdl.handle.net/11527/12731

Gözat

Konu "Analiz" ile EE- Nükleer Araştırmalar Lisansüstü Programı - Yüksek Lisans'a göz atma
  • Öge
    Nötronlara Maruz Kalan ZnO: Al/P-Si Heterokavşakların Akım-voltaj Karakteristiklerinde Oluşan Değişimlerin İncelenmesi
    (Enerji Enstitüsü, ) Günaydın, Emrah ; Doğan Baydoğan, Nilgün ; 372530 ; Nükleer Araştırmalar ; Nuclear Studies
    Bu Yüksek Lisans tezinde reaktör nötronlarına maruz kalmış ZnO:Al/p-Si heterokavşakların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinde oluşan değişimler incelenmiştir. Günümüzde araştırmalarda ince filmler elektronik aygıt teknolojisinin temelini oluşturmaktadırlar. Çinko oksit (ZnO) güneş pili, UV lazerler ve LED'lerde gibi fotoelektronik uygulamalar için gelecek vaad eden optoelektronik malzeme olarak göz önüne alınmaktadır. ZnO:Al ince filmlerin radyasyon karşısındaki elektriksel davranışlarında oluşan değişiklikler elektronik düzeneklerde ilgi çekici bir konudur. ZnO:Al/p-Si heterokavşaklar p tipi silikon tabakalar ve cam taşıyıcılar üzerinde sol-jel daldırarak kaplama tekniği ile oluşturuluştur. Bu amaçla, ZnO:Al ince filmler sol-jel daldırarak kaplama yöntemi kullanılarak farklı Al konsantrasyonlarında katkılanarak, farklı tavlama sıcaklıklarında ve farklı ortamlarda tavlanarak üretilmiştir. Al katkılı çinko oksit (ZnO:Al) ince filmler termal nötronların ince film üzerinde oluşturduğu etkiyi incelemek amacıyla İTÜ TRİGA Mark-II Eğitim ve Araştırma reaktöründe reaktör nötronlarına maruz bırakılmıştır. ZnO:Al ince filmler ve ZnO:Al/p-Si heterokavşaklar, İTÜ TRİGA Mark-II Eğitim ve Araştırma Reaktörü'nün Teğetsel Işınlama Tüpü'nde termal nötronlara maruz bırakılmıştır. Termal nötronlara maruz kalmış ZnO:Al/p-Si heterokavşakların karanlık ve aydınlık ortamlardaki akım – voltaj (I-V) ve akım yoğunluğu-voltaj karakteristikleri incelenmiştir. Teğetsel Işınlama Tüpü'ndeki kolimatöre yerleştirilen örneklerin, ışınlama süresindeki artışa bağlı olarak elektriksel iletkenliğinde artış olduğu tespit edilmiştir. Omik kontakt elde edilen Cu/ZnO:Al/p-Si/Al konfigürasyonundaki heterokavşakların akım – voltaj (I-V) ve akım yoğunluğu-voltaj karakteristiklerinde oluşan değişimler değerlendirilmiştir. Işınlanmış filmlerdeki en düşük yüzey direnci vakumda 700°C'de tavlanmış olan ve 1.2 at. % Al konsantrasyonunda katkılı filmde tespit edilmiştir. Işınlanmamış ZnO:Al ince filmlerin I-V karakterisitklerinde oluşan değişimler reaktör nötronları ile ışınlanmış ZnO:Al ince filmler ile karşılaştırılmıştır. Nötronların elektriksel karakteristikler üzerine etkisi ışınlanmış ve ışınlanmamış hal için değerlendirilmiştir.