FBE- Malzeme Mühendisliği Lisansüstü Programı
Bu topluluk için Kalıcı Uri
Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı altında bir lisansüstü programı olup, sadece yüksek lisans düzeyinde eğitim vermektedir.
Gözat
Konu "Activation energy" ile FBE- Malzeme Mühendisliği Lisansüstü Programı'a göz atma
Sayfa başına sonuç
Sıralama Seçenekleri
-
ÖgeSilisyum Karbonitrür İnce Filmlerin Reaktif Doğru Akım Manyetik Alanda Sıçratma Yöntemiyle Üretimi Ve Karakterizasyonu(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2011-07-14) Ağırseven, Okan ; Yücel, Onuralp ; 406977 ; Malzeme Mühendisliği YL. ; Materials Engineering MSc.Bu çalışmada %99.999 saflıkta silisyum hedef malzeme kullanılarak, CH4 ve N2 reaktif gaz ortamında, mikroskop camı ve yüksek hız çeliği üzerinde, 1350±70 nm kalınlıklarında silisyum karbonitrür ince filmler biriktirilmiştir. Kaplama işlemleri 0.2 Pa çalışma basıncı altında, 500 W hedef gücü, 50 V bias gerilimi, 5-18 cm3/dak argon gaz akışı, 2-10 cm3/dak CH4 ve N2 gaz akışı kullanılarak 60’ar dakika süreyle yapılmıştır. Filmler benzer kalınlıklarda biriktirilmiştir. Bu sayede kalınlığın etkisi göz ardı edilerek kaplama içeriğine bağlı optik sabitler incelemeye alınmıştır. Silisyum karbonitrür ince filmlerin optik geçirme ve yansıtma oranları 280-1000 nm dalga boylarında spektrofotometre ile ölçülmüştür. Spektrofotometre yazılımı kullanılarak, bu değerlerden kırılma indisi ve sönüm katsayıları elde edilmiştir. Buradan hesaplanan soğurma katsayıları ile uygulanan Tauc yöntemi ile üretilen ince filmlerin yasak bant aralığı değerleri gaz akış oranlarına bağlı olarak hesaplanmıştır. Analiz ve hesaplama sonuçları, gaz akış oranları ile elde edilen filmlerin optik sabitleri ve yasak bant aralıkları arasındaki ilişkiyi ortaya koymuştur. X-ışını difraktometresi ile yapılan faz analizleri sonucunda bazı kaplamalarda kristal yapı oluştuğu gözlemlenmiştir. Literatürdeki çalışmalar ile karşılaştırıldığında 50ºC gibi düşük sayılabilecek bir sıcaklıkta üretilen filmlerde kristal yapı oluşumu çalışmanın ilgi çeken özelliklerinden olmuştur. Elde edilen filmlerin 20-100ºC sıcaklıklardaki iletkenlikleri ölçülüp aktivasyon enerjileri hesaplanmıştır. Aktivasyon enerjileri, karbon ve azot miktarlarının artmasıyla azalma göstermişlerdir. Bunun yanında azot miktarının artmasıyla gözlenen aktivasyon enerjisi değişimi, karbon miktarı artışıyla oluşan değişime benzer özellikler göstermiştir. Ayrıca filmlerin sertlikleri ölçülmüştür ve filmler içinde mevcut silisyum miktarındaki artış ile film sertliğinin arttığı gözlemlenmiştir.