FBE- Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Lisansüstü Programı - Doktora
Bu koleksiyon için kalıcı URI
Gözat
Yazar "Addemir, Okan" ile FBE- Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Lisansüstü Programı - Doktora'a göz atma
Sayfa başına sonuç
Sıralama Seçenekleri
-
ÖgePirinç kabuğundan silisyum nitrür tozunun sentezi(Fen Bilimleri Enstitüsü, 1993) Kuşkonmaz, Nilgün ; Addemir, Okan ; Metalurji ve Malzeme Mühendisliği ; Metallurgical and Materials EngineeringBu çalışmada Trakya(Enez) yöresine ait pirinç kabuk ları kullanılarak silisyum Nitrür (Si"N, ) toz sentezi yapılmıştır. Pirinç kabukları, 7DDQC'de argon gazı altında piro- liz işlemi sonunda öğütülerek <53 fim tane boyutunda piralize pirinç kabuğu tozu (% 50 C, % 47.9 5iD") şeklin de Si-N, toz sentez hammaddesi olarak hazırlanmıştır. Piralize pirinç kabuğunun deneyler için özel olarak hazırlanan grafit reaktör içinde optimum nitrürleşme ve riminin 50L/saat azot akışı altında olduğu saptanmıştır. Pirolize pirinç kabuğundan silisyum karbür (SiC) fazı oluşmadan Si-N, fazının oluşumu için çıkılabilecek maksimum reaksiyon sıcaklığının 1400DC olduğu, 1450 C de ise Si-N, fazının yanısıra SiC fazının ortaya çıktığı ve reaksiyon başlagıcında oluşan Si,l\l, fazının fazla karbonun etkisi ile kararlılığını kaybederek SiC fazına dönüştüğü belirlenmiştir. Pirolize pirinç kabuğunun reaktöre şarjının toz ( < 53 fim)veya pelet (+ 3.1 5-4.75-+4.75-S.1 5 mm) olması nın 1400 C ve 50. L/saat azot akışı altında iki saat nit- rürleme sonunda elde edilen Si-N, oluşum veriminde (% 79(Ağırlıkça) ) etkili olmadığı saptanmıştır. Çekirdeklestirici Si-N, "toz ilavesinin, optimal şartlarda (14QD C, 50L/saat N") Si-N. oluşum verimine bir etkisinin olmamasına rağmen üretilen Si3N, 'U viskır formundan eş eksenli bir yapıya dönüştürdüğü1 gözlenmiştir. 1400DC de elde edilen Si-N, viskırlarının dikdörtgen ke sitli olduğu, sıcaklığın 1450 C'ye çıkması durumundan, SiC fazının çökelmesinde etkili olan Fe-Si sıvı fazının kürecikler şeklinde ortaya çıktığı, ve 1500 C. de elde edilen SiC viskırlarının ise dairesel kesitli olduğu be lirlenmiştir.
-
ÖgeTek Ve Çok Katmanlı Bor Karbür Ve Bor Karbonitrür İnce Filmlerinin Farklı Sıçratma Teknikleriyle Biriktirilmesi Ve Karakterizasyonu(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2009-11-03) Tavşanoğlu, Tolga ; Addemir, Okan ; Malzeme ; MaterialsBu çalışmada farklı sıçratma teknikleriyle biriktirilmiş tek ve çok katmanlı bor kabür ve bor karbonitrür ince filmler incelenmiştir. Homojen ve taban malzemeye iyi yapışan bor karbür kaplamalar, konvansiyonel doğru akım (DC) manyetik alanda sıçratma, plazma destekli doğru akım manyetik alanda sıçratma ve radyo frekans (RF) sıçratma teknikleriyle üretilmiştir. Proses gazına azot ilavesiyle reaktif doğru akım manyetik alanda sıçratma tekniği kullanılarak bor karbonitrür ince filmler üretilmiştir. Kalın bor karbür ve bor karbonitrür kaplamalar elde etmek amacıyla fonksiyonel gradyanlı çok katmanlı kaplama tasarımları çalışılmıştır. Filmlerin biriktirilmesinde, çalışma kapsamında üretilmiş, doğru akım uyumlu, iletken bor karbür ve ticari bor karbür hedef malzemeler kullanılmıştır. Biriktirilen bütün bor karbür ince filmler amorf yapıdadır. Konvansiyonel doğru akım manyetik alanda sıçratma yöntemiyle biriktirilen filmler kolonsal yapılıdır ve bu filmler için yaklaşık 20 GPa sertlik ve 220 GPa elastik modül değerleri elde edilmiştir. Plazma destekli doğru akım manyetik alanda sıçratma tekniğiyle biriktirilen bor karbür filmlerde kolonsuz mikroyapılar ve düzgün yüzey morfolojileri gözlenmiştir. Bu filmlerde yaklaşık 40 GPa sertlik, 300 GPa elastik modül ve 2.6x10-8 mm3/Nm aşınma oranı değerlerine ulaşılmıştır. Radyo frekansı sıçratma tekniğiyle biriktirilen bor karbür ince filmlerde 22 GPa sertlik ve 240 GPa elastik modül değerleri elde edilmiştir. Üretilen bor karbonitür ince filmlerde 10-20 GPa sertlik, 130-185 GPa elastik modül ve 1.5x10-9 mm3/Nm aşınma oranı değerleri tespit edilmiştir. Fonksiyonel gradyanlı çok katmanlı kaplama tasarımları sayesinde 1 μm den fazla kalınlıklarda ve taban malzemeye iyi yapışan bor karbür ve BCN filmler biriktirilebilmiştir.