EE- Enerji Bilim ve Teknoloji Lisansüstü Programı

Bu topluluk için Kalıcı Uri

http://hdl.handle.net/11527/197

Gözat

Yazar "Akcan, Doğan" ile EE- Enerji Bilim ve Teknoloji Lisansüstü Programı'a göz atma
  • Öge
    İletken Zn1-xmg0.05alxo İnce Filmlerinin Radyasyon Karşısında Optik Davranışlarının İncelenmesi
    (Enerji Enstitüsü, ) Akcan, Doğan ; Doğan Baydoğan, Nilgün ; Enerji Bilim ve Teknoloji ; Energy Sciences and Technologies
    ZnO radyasyona karşı oldukça direnç gösteren bir malzeme olduğundan, uzay teknolojisindeki malzemler arasında ilgi çekmektedir. Bu nedenle, elektrikçe iletken Zn0.95-xMg0.05AlxO ince filmlerin optik özellikleri üzerinde gama radyasyonunun etkileri incelenmiştir. Bu amaçla, Zn0.95-xMg0.05AlxO ince filmler Cs-137 isotopu karşısında radyasyona maruz bırakılmıştır. Çinko oksite (ZnO) olan ilgi birçok teknolojik uygulamalarda (geçirgen iletken elektrot, görüntüleme cihazları, ışık yayan diyotlar (LED), gaz sensörleri, güneş pilleri, lazer sistemleri) kullanılması sebebiyle hergeçen gün artarak devam etmektedir. ZnO?ya Mg katkılayarak bu uygulamalarda kaydadeğer bir gelişme gözlemlenmiştir. Mg+2?nin 0.58 Å olan iyonik çapı, Zn+2 (0.60 Å)?ninkine oldukça yakın olduğundan, Mg katkısı örgü parametrelerinde kayda değer bir değişikliğe neden olmadığı ve bant aralığının genişlediği gözlenmiştir. ZnO?ya Al(n-tipi katkı) katkılayarak yüksek elektriksel iletkenlik, yakın kızılötesi (infrared) ve görünür bölgede yüksek şeffaflık elde edilmektedir. Bu sebeple çalışmada ZnO yarıiletken Mg ve Al ile katkılanarak ZnMgAlO tipi üçlü geniş bant, şeffaf ve iletken ince filmler sol-jel yöntemi ile geliştirilmiştir. Bu tezin temel hedefi Zn0.95-xMg0.05AlxO ince filmlerin en uygun üretme parametrelerini saptamak, büyütme mekanizmasını anlamak, elektriksel, optiksel ve radyosyona duyarlılığını araştırmaktır. Altlık olarak kullanılan camlar için farklı temizleme koşulları uygulanarak en uygun temizleme koşulu tespit edilmiş ve yüzeyleri mikroskop kullanılarak incelenmiştir. Zn0.95-xMg0.05AlxO tipi üçlü ince filmler, farklı Al katkı oranlarında Sol-jel yöntemi ile daldırarak kaplama (dip-coating) tekniği kullanılarak cam altlık üzerine kaplanmıştır. ZnMgAlO ince filmlerin karakterizasyonu Ayrımsal Isıl Analiz ? Isıl Ağırlıkça Analiz, SEM, EDS ve XRD ile yapıldı. Cam altlık üzerine büyütülen Zn0.95-xMg0.05AlxO filmler yoğun ve homojen bir yapıya sahip oldukları ve poli-kristal filmler oldukları SEM görüntülerinden gözlendi. Zn0.95-xMg0.05AlxO ince filmlerin elektriksel ölçümler için kontak alınabilmesi için film üzerine fiziksel buharlaştırma yöntemi ile interdijital transdüser yapısında kaplamalar yapılarak kontaklar alındı. Elde edilen numunelerin Dc elektriksel özellikleri 300-500K sıcaklık aralığında ve oksijen atmosferinde gözlendi. Akım-voltage (I-V) değerleri Keithley 6517A Electrometer/High Resistancemetre?yle ölçülmüştür. Zn0.95-xMg0.05AlxO ince filmlerin optik özellikleri UV-Vis-NIR spektrometreyle 190 ? 1100 nm arasında ölçülerek yarıiletken band genişliği belirlenmiştir. Band genişliğinin Al katkı oranı artarken arttığı gözlenmiştir.