Bu çalışmada elektron demeti buharlaştırma sisteminde, eş atomluya yakın bileşimlerde NiTi hafızalı alaşımların ince ve şekilli ince filmler olarak üretilmesi; bu filmlerin faz yapılarının ve optik özelliklerinin saptanması amaçlanmıştır. Bütün kaplamalar Si tek kristal plakalar üzerine gerçekleştirilmiştir. Öncelikle istenilen bileşimde filmler elde etmek ve film bileşimi ile kaplama hızı arasındaki bağıntının saptanması için farklı kaplama hızlarında NiTi ince film kaplamalar üretilmiştir. Kaplama hızı düştükçe filmdeki Ti miktarının arttığı gözlemlenmiştir. Daha sonra eğik açılı biriktirme yöntemi ile istenilen bileşime uygun kaplama hızlarında ve sabit buhar geliş açılarında, spiral, zikzak, eğik ve bunların hibridi morfolojilerde şekilli ince filmler biriktirilmiştir. Düz filmler ısıl işlemle kristalize edilerek martenzik NiTi fazı ve ikincil fazlar gözlemlenmiştir. Şekilli filmlerde ise ısıl işlem sırasında altlık ile film arasında difüzyon gerçekleştiği ve Ni3Si fazı oluştuğu saptanmıştır. Bu sonuçlar doğrultusunda NiTi şekilli filmler uygun sıcaklıkta tavlanarak kristalize edilebilmeleri için altlık üzerine kaplanan NiTi düz ince katmanlar üzerine biriktirilmiştir. NiTi düz katmanlara iyon bombardımanı uygulanması ile yüzey pürüzlülüğü artırılarak 20 nm çaplarında kolonlar üretilmiştir. NiTi düz katman üzerine kaplanan şekilli filmlerde, kristalizasyonun sıcaklıkla arttığı ve Si ile difüzyonun engellendiği görülmüştür. Kristalin numunelerde NiTi, Ni2Ti, Ni4Ti3, Ti2Ni fazları gözlemlenmiştir. Optik reflektansın tavlama ile bir miktar değiştiği, şekilli filmlerin ise düz filmlere göre çok düşük optik reflektans değerleri sergiledikleri saptanmıştır.