Femtosaniye lazer ile Sİ-plaka üzerine mikro ölçekte biçimlendirme

Abstract

Femtosaniye lazer ile mikromalzeme işleme son dönemlerde gittikçe popüler hale geldi. Bunun sebebi ise lazerin darbe süresi thermal difuzyon yasasina gore ısının yayılımından çok daha kısa zamanda gerçekleşmekte. Femtosaniye lazerin bu ayrıcalığı, özellikle mikro malzeme gibi çok küçük hacimli malzemeler işlerken, malzeme daha ısınıp zarar görmeye başlamadan mikroişlemenin bitmesinden kaynaklanmakta. Tabi bu avantaj, en önemli husus olan enerji akışı değeri melting ve ablasyon eşiği arasında tutulduğu sürece geçerli olmakta. Yapılan deneylerde Si-Wafer’ın ablation ve melting threshold değerlerinin bulunmalarının yanı sıra en düzgün yüzey karakteristiğine sahip istenilen en ve derinlikteki kanallar açılması için gerekli diğer parametrelerin bulunması çalışıldı.Micromachining with Femtosecond Lasers has attracted a lot of attention in the recent years. The reason behind this is that according to the thermal diffusion law, femtosecond lasers pulse duration is faster than thermal diffusion itself. This advantage of femtosecond lasers helps avoid thermal damage while machining small volume materials such as micro materials. It only works as intended when using the lasers between the range of melting and ablation thresholds. During the experiments the ablation and melting threshold values for Si-Wafer were attained. Further experiments were run to gather the other required parameters to acquire cavities with the required depth and a smooth surface.