GaN HEMT ile Yüksek Verimli X Band F Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi Tasarımı

Abstract

Bu calismada X bandinda calisan, yuksek verimli F sinifi guc kuvvetlendiricisi Galyum Nitrit Yuksek Elektron Hareketlilikli Tranzistor (High Electron Mobility Transistor, GaN tHEMT) kullanilarak tasarlanmistir. Bu tasarimda kullanilan Triquint TGF2023-1-01 tranzistoru icin Modelithics gelistirdigi dogrusal olmayan tranzistor modeli kullanilmistir. Tasarlanan devrenin daha genis frekans bandindan calismasini saglamak icin kapasitif elemanlar radyal yapili mikroserit hatlar ile gerceklenmistir. Tasarim sonucunda 8.2 GHz merkez frekansinda elde edilen en yuksek verim %62, guc kazanci ise 9.3dB’dir. Tasarlanan devre genis bantli iletisim sistemlerinde (170MHz) kullanilmaya uygun olarak bant icerisindeki verimi %60’in uzerindedir. Calisma sonunda GaN HEMT kullanarak yuksek cikis gucune sahip yuksek verimli kuvvetlendirici elde edilmistir.