Başlık ile 'a göz atma
  • Öge
    0 – 5 Yaş Arası Çocuklarda Müzikli Oyunların Gelişime Etkisi
    (Sosyal Bilimler Enstitüsü, 2010) Kaya, Nihan Duygu ; Altınölçek, Haşmet ; Türk Müziği ; Turkish Music 
    İnsan yaşamında ilk çocukluk dönemi çok önemli bir dönem kabul edilmektedir. Psikologlar tarafından incelenen ve doğrulanan bulgulara göre ilk çocukluk dönemi, yetişkinlik dönemindeki kişiliğinin oluşmasında temel oluşturur. Dünyanın birçok bölgesinde, 0-5 yaş arası eğitime ağırlık verilmeye başlandığı ve bu konuyla ilgili dünya genelinde birçok ülkede gelişim ve oyun okulları açıldığı görülmektedir. Son yıllarda çok hızlı yaygınlaşmaya başlamış olan çocuk gelişim ve oyun okullarının en önemlilerinden biri de Gymboree Play&Music okuludur. Çocuğun gelişim hızının belirlenebilmesi, geliştirilebilmesi ve pozitif yönde ilerlemesi amaçlanarak hazırlanan gelişim destekleyici oyun programları, farklı okullarda farklı kuramlar ve yöntemler kullanılarak düzenlenmektedir.
  • Öge
    0.1-8ghz Cmos Dağılmış Parametreli Kuvvetlendirici
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Kılıç, Ali Ekber ; Yazgı, Metin ; Elektronik Mühendisliği ; Electronics Engineering
    Geniş bantlı kuvvetlendiricilerin ölçüm düzenleri, askeri elektronik, televizyon, radar ve geniş bantlı optik haberleşme gibi birçok kullanım alanı bulunmaktadır. Bu uygulamalar için genellikle dağılmış parametreli kuvvetlendirici yapısı kullanılmaktadır. Çünkü bu yapı klasik kazanç-bant genişliği ilişkisi ile sınırlanmamaktadır. Dağılmış parametreli kuvvetlendirici yapısında kazanç elemanlarının giriş ve çıkış kapasiteleri, yapay iletim hatlarının içine dahil edilmektedir. Böylece farklı hücrelerin kapasiteleri birbirlerinden ayrılmakta, aynı zamanda çıkış akımları ise hala toplanabilmektedir. Son on yılda boyut alanında devam eden küçülme sayesinde, eşlenik metal-oksit-yarıiletken (CMOS) teknolojisi dağılmış parametreli kuvvetlendirici gerçekleştirmek için ciddi bir alternatif olmuştur. Ayrıca CMOS dağılmış parametreli kuvvetlendiriciler düşük maliyet ve temel bant devreleriyle tümleştirme avantajlarına da sahiptir. Bu tezin en genel amacı dağılmış parametreli kuvvetlendirici tasarım tekniklerini araştırmak ve bu teknikleri kullanarak 0.35μm CMOS teknolojisi ile tamamen tümleştirilmiş bir dağılmış parametreli kuvvetlendirici gerçekleştirmektir. Teorik araştırmaları ve benzetim sonuçlarını doğrulamak amacıyla 0.35μm CMOS teknolojisi ile tek uçlu bir kuvvetlendirici tasarlanmış ve üretime gönderilmiştir. Bu kuvvetlendirici 0.1-8GHz aralığında 8±1 dB kazanç sağlamakta ve 1.5V beslemeden 18mA akım çekmektedir. Kuvvetlendiricinin toplam alanı 1.67x0.93 mm2 dir.
  • Öge
    0.18µm Teknolojisinde Birinci Ve Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcılar İle Yeni Olanaklar
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 2014-06-25) Gonca, Oğuz ; Kuntman, Hulusi Hakan ; 10041319 ; Elektronik ve Haberleşme Mühendisligi ; Electronic and Communication Engineering
    Akım modlu devreler ve akım taşıyıcı gibi akım modlu devre elemanları son yıllarda birçok çalışmaya konu olmuşlardır. Akım modlu devre elemanlarına karşı giderek artmakta olan bu ilgi, akım modlu devre elemanlarının işlemsel kuvvetlendirici gibi gerilim modlu devre elemanlarına göre daha iyi lineerlik ve daha iyi band genişlikleri sağlamasından kanaklanmaktadır. Buna paralel olarak akım modlu süzgeçler, gerilim modlu benzerlerine göre daha geniş dinamik sınırlar ve daha büyük band genişlikleri sunabilmektedirler. Düşük giriş empedansları ve yüksek çıkış empedanslarına sahip akım modlu süzgeçler, herhangi bir ek aktif elemana ihtiyaç duyulmaksızın, ard arda bağlanarak daha yüksek seviyeli süzgeçler ve osilatörler elde edilebilmektedir. Bu tez çalışmasında, genel olarak her kuşak akım taşıyıcı yapısına değinilmiş, yapıların çalışma şekilleri, tanım bağıntınları ortaya konulmuştur. Ayrıca bir kuşaktan diğerini geçekleştirme yötemlerine yer verilmiştir. Ağırlıklı olarak Birinci Kuşak Akım Taşıyıcılar (CCI) ve Üçüncü Kuşak akım taşıyıcılar (CCIII) ele alınmış ve daha iyi lineerlik için farklı giriş katları daha esnek çıkış kazançları için yeni elemanlar önerilmiştir. Bölüm 1’de konuya genel bir giriş yapılmış, tez çalışmasınında nelerin amaçlandığından bahsedilmiş ve literatürde şimdiye kadar yapılmış olan çalışmalara yer verilmiştir. Bölüm 2’de akım taşıyıcıların genel özellikleri ortaya konulmuştur. Ayrıca birinci, ikinci ve üçüncü kuşak akım taşıyıcı yapıları ayrıntılarıyla incelenmiş buna ek olarak Elektronik Olarak Kontrol Edilebilen İkinci Kuşak Akım Taşıyıcı (ECCII) yapısına ve  Değiştirilmiş Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (MCCIII) yapılarına yer verilmiştir. Kuşaklar arası dönüşüm yöntemleri de bu bölüm içerisinde yer almaktadır.  Bölüm 3’te CCI ve CCIII için iç yapılar önerilmiş ve bu yapılar giriş ve çıkış eşitlikleriyle incelenmiştir. Bölüm 4’te gerçekleştirilen CCI ve CCIII yapıları için benzetimler sonucunda elde edilmiş olan karakteristik eğrileri verilmiştir. Bölüm 5’te CCI ve CCIII yapılarının kullanılabileceği uygulama devrelerinden örnekler verilmiş ve devre yapıları incelenmiştir. Ayrıca devrelerin SPICE benzetim sonuçları sunulmuştur. Bölüm 6’da elde edilen sonuçlar değerlendirilmiş ve tezin amacına ne kadar yaklaştığı gerekçeleriyle ortaya konulmuştur.
  • Öge
    0.35 Um Yüksek Gerilim Cmos Prosesinde Giriş İşaret Aralığı Genişletilmiş 14 Bıt 1msps Sar Adc
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Özkaya, İlter ; Aksın, Devrim Yılmaz ; Elektronik Mühendisliği ; Electronics Engineering
    Bu çalışmada giriş işaret aralığı genişletilmiş, 14 bit çözünürlükte ve 1 MSps örnekleme hızında çalışan ardışıl yaklaşımlı analog sayısal çevirici gerçeklenmiştir. Giriş işaret aralığını genişletmek üzere yeni bir örnekleme tekniği önerilmiştir. Bu teknik kullanılarak gerçeklenen örnekleme anahtarı standard tümdevre gerilimi ile sürülebilmekte, fakat besleme değerinin çok üstündeki analog işaretleri örnekleyebilmektedir. Bahsedilen anahtar gerçeklenmiş ve işlerlik testlerini geçmiştir. Bu anahtar kullanılarak tasarlanan analog sayısal çeviricinin performansı benzetimlerle doğrulanmış ve pazarda bulunan ürünlerle kıyaslanmıştır. Kullanılan örnekleme tekniği sayesinde, özellikle güç tüketimi açısından büyük avantaj sağladığı görülmüştür. Tasarlanan analog sayısal çevirici için muhtemel kullanım alanları sayısal kontrollü süreç kontrol sistemleridir. Bundan başka, otomotiv ve telekom sanayiileri gibi yüksek gerilim gerektiren alanlarda da kullanılabilir.
  • Öge
    07.08.1967 tarihli Cumhuriyet gazetesinde Mustafa İnan'ın vefatı üzerine yer alan taziye ilanları
    (Cumhuriyet, 1967-08-07) Orta Doğu Teknik Üniversitesi ; Mustafa İnan Kütüphanesi ; İstanbul Teknik Üniversitesi Talebe Birliği
    07.08.1967 tarihli Cumhuriyet gazetesinde, İnan'ın ölümü ardından taziye ilanları yayımlanıyor.
  • Öge
    07.08.1967 tarihli Milliyet gaztesinde Mustafa İnan'ın vefatı üzerine yer alan vefat ve taziye ilanları
    (Milliyet, 1967-08-07) Orta Doğu Teknik Üniversitesi ; Mustafa İnan Kütüphanesi ; İnşaat Mühendisleri Odası
    Ortadoğu Teknik Üniversitesi ve İnşaat Mühendisleri Odası Yönetim Kurulu adına İnan'ın vefatı üzerine gazete ilanları veriliyor.
  • Öge
    09.08.1967 tarihli Cumhuriyet gazetesinde yer alan vefat ilanları ve Burhan Felek'in İnan'ın ardından yazdıkları
    (Cumhuriyet, 1967-08-09) Felek, Burhan ; Mustafa İnan Kütüphanesi ; İnan, Jale ; İnan, Hüseyin
    İnan'ın vefatı ve defin bilgileri çeşitli vefat ilanları ile duyuruluyor. Aynı gazetede Burhan Felek, İnan'ın vefatının üzerine köşesinde bir yazı kaleme alıyor.
  • Öge
    09.08.1967 tarihli Hürriyet gazetesinde Mustafa İnan'ın vefatı üzerine yer alan taziye ilanları
    (Hürriyet, 1967-08-09) Bilinmiyor ; Mustafa İnan Kütüphanesi
    09.08.1967 tarihli Hürriyet gazetesinde, İnan'ın ölümü üzerine vefat ve taziye ilanları yayımlanıyor.
  • Öge
    09.08.1967 tarihli Milliyet gazetesinde Mustafa İnan'ın vefatı üzerine yer alan taziye ve vefat ilanları
    (Milliyet, 1967-08-09) Bilinmiyor ; Mustafa İnan Kütüphanesi
    09.08.1967 tarihli Milliyet gazetesinde, İnan'ın ölümü üzerine vefat ve taziye ilanları yayımlanıyor.
  • Öge
    1 Ekim 1995 Dinar Depremi Faylanma Parametrelerinin İnsar Ve Sismoloji Verileriyle Belirlenmesi
    (Avrasya Yer Bilimleri Enstitüsü, ) Çetin, Esra ; Çakır, Ziyadin ; 266236 ; İklim ve Deniz Bilimleri ; Climate and Marine Sciences
    Bu çalışmada 1 Ekim 1995 Dinar depreminin (Ms=6.1) artçı şok analizi ve Yapay Açıklık Radar İnterferometrisi (Synthetic Aperture Radar Interferometry:InSAR) tekniği kullanılarak depremin kaynak parametreleri ortaya çıkartılmaya çalışılmıştır. Sismik kaydı okunup lokasyonu bulunan 4000 civarındaki artçı sarsıntının dağılımından deprem kırığının haritalanan yüzey kırığından 7-8 km daha uzun olduğu ve kuzeybatıya doğru devam ettiği anlaşılmıştır. HypoDD tekniği ile lokasyonları iyileştirilen yaklaşık 1100 civarında artçı sarsıntının dağılımından kırığın listrik bir geometriye sahip olduğu sonucuna varılmıştır. InSAR yöntemiyle bulunan yeryüzü deformasyonu bu listrik şekilli fay üzerinde meydana gelen kaymalar ile açıklanmaya çalışılmıştır. Bunun için yüzeyden 8 km derinliğe kadar eğim 65°'den 40°'ye azalan, 20 km uzunluğunda ve 19 km genişliğinde bir listrik fay yüzeyi oluşturulmuştur. Bu yüzey daha sonra üçgen parçalara bölünmüş her üçgen yüzey üzerinde meydana gelen normal ve yanal kayma bileşeni belli bir pürüzlülük kıstası altında elastik yerdeğiştirme metodu kullanarak ters çözümleme yoluyla modellenmiştir. Modelleme sonucunda fay yüzeyinde kaymanın iki ana alanda odaklandığı tespit edilmiştir. Maksimum kaymanın 70 cm'ye ulaştığı daha büyük alana yayılan kaymanın fayın eğiminin yüksek olduğu sığ derinliklerde (5-6 km) meydana geldiği anlaşılmaktadır. Daha küçük bir alanda odaklanan ikinci kayma ise fayın eğimin azaldığı daha derin kısımlarda bulunmaktadır. Yüzeyde bulunan kayma ise arazi gözlemleriyle uyumlu çıkmaktadır. Ters çözümleme sismik gözlemlere uygun olarak hakim normal faylanmanın dışında önemli miktarda sağ-yanal doğrultu atımlı faylanma da tespit etmektedir. Bu kayma dağılımının telesismik yöntemlerle elde edilen kayma dağılımıyla uyumlu olduğu görülmektedir.
  • Öge
    1 Kw Elektrotermal Argon Arkjet Motoru, Deneysel Amaçlı
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Onur, Ali Orçun ; Gülçat, Ülgen ; Uzay Bilimleri ve Teknolojisi ; Space Sciences and Technology
    Bu çalışma, özellikle uzaya yönelik olarak geliştirilen ileri itki sistemlerinden elektrotermal arkjet motorunun labarotuvar modelinin oluşturulması amacı ile yapılmıştır. Daha sonra, bu labarotuvar modelinin bir deney seti olarak düzenlenmesi amaçlanmıştır. Bu deney seti, Ertürk TANRISEVER tarafından geliştirilen tıp cihazı model alınarak yapılmış olup, bu çalışma esnasında herhangi bir sayısal çözümleme yapılmamıştır. Elektrotermal arkjet motorunun en önemli özelliği, aynı görev için kullanılan kimyasal roketlere göre itki malzemesi tüketiminin oldukça düşük olmasıdır ve bu özellik sayesinde yörüngeye çıkartılması gereken yakıt miktarı azalacaktır. Oluşturulan deney seti güvenlik sebepleri ile itki malzemesi olarak argon gazı kullanmaktadır.
  • Öge
    1 MHz Çıkış Frekansında 80+dB SFDR Başarımı Elde Eden 0.18 Um 16-b 32 MSPS CMOS Gerilim Çıkışlı Sayısal-analog Çevirici Tasarımı
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 2015-01-22) Özdağ, Çağlar ; Küyel, Türker ; 10063133 ; Elektronik ve Haberleşme Mühendisligi ; Electronic and Communication Engineering
    Sayısal işaretlerin, analog kontrol ve transfer sistemlerine arabağlanması, sayısal-analog-çevirici (DAC) olarak isimlendirilmiş entegre devreler (IC) ile gerçekleştirilir. Bu elektronik mimariler ile, yüksek örnekleme frekanslarında, yüksek hassasiyet ve yüksek dinamik doğrusallık elde edebilmek, tüm ilgili başarım ödünleşimlerinin karmaşık bir şekilde bağlantılı olması nedeniyle, her zaman süregiden bir araştırma alanıdır. Başarım ödünleşimlerinin doğası gereği, belli DAC mimarileri belli uygulamalar için kullanılır ve bu uygulamalar altı ana parametreyi önceliklendirir: fiziksel boyut, güç tüketimi, çözünürlük, bant genişliği, duyarlık ve maliyet. Her türlü iletişim, veri toplama, işaret işleme ve kontrol sistemlerinde kullanılan DAC mimarileri, iki aile şeklinde sınıflandırılabilir: (i) monotonluk, sürüklenme duyarlığı ve yerleşme duyarlığı pahasına yüksek hız sağlayan akım-mod tip mimariler ve (ii) yüksek hız ve çözünürlük pahasına yerleşme duyarlığı sağlayan gerilim-mod tip mimariler.  Zamanla değişen yükleri doğrusal bir yerleşme karakteristiği ile sürebilmek için DAC'ların çıkışlarında bir tampon katı olmalıdır. Akım-mod tip mimarilerde bu tampon katı, akımdan gerilime dönüştürücü olarak işlev görür. Dönüşümü yapmak için kullanılan geri-besleme direncinin gerilim ve sıcaklık ile sürüklenmesi, bu tip mimarilerin hassas yerleşme niteliğini kısıtlar. Akım-mod DAC çıkış katı direncinin silikon özerinde imal edildiği ve bu sorunun kısmi olarak giderildiği tasarımlar mevcut olsa da, bu mimarilerin de gliç (zamanlama hatalası) problemleri vardır. Bu nedenle yerleşme karakteristiğinin doğrusal olması gerektiği hassas dalga üretimi uygulamalarında, tercih edilmezler. Bu çalışma, daha karşılanmamış bir gereksinim olan, hassas yerleşme, yüksek hız ve yüksek çözünürlük sağlayan bir DAC mimarisi önerisidir. Tasarım, standart direnç-dizesi tip tamponlu gerilim çıkışlı DAC mimarisini baz almakta ve zamanla değişen yükleri yüksek çıkış frekansları için sürebilmek adına dinamik doğrusallık başarımını geniş ölçüde geliştirmektedir. Direnç-dizesi tip DAC mimarilerinin çalışma prensibi, bir direnç dizesi üzerindeki düğümlerin, giriş kod çözücüsü tarafından kontrol edilen bir anahtarlama şeması ile seçilmesi, ve bu düğüm üzerindeki gerilimin çıkış tamponu tarafından sürülmesi üzerine kurulmuştur. Bu direnç-dizesi, anahtarlar ve çıkış tamponunun çalışma aralığı tarafından belirlenen iki gerilim referansı arasında, tam ölçek çıkış aralığını eşit parçalara böler. Bu tür veri dönüştürücülerinin DC başarımını, gerilim referanslarının hassasiyeti, ve daha önemlisi, direnç-dizesi elemanlarının uyuşması belirler. Statik doğrusalsızlıklar olarak adlandırılan bu sorunlar, düşük bant genişliklerinde tipik olarak 10 bitlik, yüksek maliyetli proseslerde lazer kırpma gibi özel teknikler kullanılarsa 12 bitlik doğruluk verebilecek derecede sayısal olarak kalibre edilebilir. Bu tekniklerden, off-chip taramalı-tablo (look-up-table) DC kalibrasyonu olarak adlandırılan yöntem, düşük maliyetli DC kalibrasyonlar arasında standart uygulama haline gelmiştir ve bu tasarım için tape-out sonrası kullanılacağı varsayılmıştır. Bu yöntemle alınabilecek çözünürlük sınırlı olduğundan, 16 bit seviyesinde doğruluk alabilmek için, ikinci bir DAC katı olarak ara-değer-bulan OPAMP (interpolating OPAMP) gibi mimariler kullanılabilir. Devreyi hızlandırmak adına, çıkış katı zaman sabitini asgariye indirmek için düşük eşdeğer dirençli direnç-dizesi mimarilerinin de kullanımıyla, piyasadaki mevcut en iyi performans veren DAC tasarımlarına yakın benzetim sonuçları alınabilmektedir. Fakat, yüksek bant genişliklerinde dinamik doğrusallığı etkileyen hata mekanizmaları çoğunlukla çözülememiş durumdadır. Bu eksiklik, gerilim çıkışlı DAC mimarilerinin yüksek hızlı hassas dalga üretimi uygulamalarında kullanılmasını kısıtlamaktadır.  DAC mimarilerinin en temel dinamik başarım ölçüsü, çıkış dalgasının spüriyözsüz dinamik aralığıdır (SFDR). SFDR, işaret genliğinin kare ortalamalarının kökünün (rms), ilk Nyquist bölgesindeki en yüksek spüriyöz bileşenine oranıdır, ve toplam harmonik bozulma (THD) ve intermodulasyon distorsiyon (IMD) ile olan yakın ilişkisinden dolayı iyi bir dinamik doğrusallık göstergesidir. Bu çalışmada sunulan benzetim sonuçlarının çoğu, tam ölçek çıkış dalgasının SFDR'ı üzerinden incelenmiştir. Şu an piyasada state-of-the-art kabul edilen 16-bitlik gerilim çıkışlı DAC (TI-DAC8580), spesifikasyonunda listelenen en yüksek çıkış frekansında (200 kHz) 63 dB SFDR vermektedir. Bu çalışmada önerilen DAC mimarisi bu çıtayı büyük bir fark ile aşarak, 1 MHz'lik bir işaret için serim-sonrası (post-layout) 83 dB SFDR vermektedir. Bu başarımı elde etmek için, altı ana dinamik hata mekanizması belirlenmiş ve kompanse edilmiştir. Mimarinin çıkış katı, son altı biti (6 LSBs) sayısaldan analoga çevirme işlemini gerçekleştirmektedir. Bu işlem sırasında, mimarinin doğası gereği ara-değer-bulan OPAMP giriş kapasitesi koda-bağımlı olduğundan, çıkış hattı üzerinde görülen zaman sabiti her kod için değişmektedir. Bu idealsizlik, (i) dummy ara-değer-bulan OPAMP giriş katları ve dummy diferansiyel ikilisi anahtarları ile kompanse edilmiştir. Çıkış hattı üzerinde görülen zaman sabitinin kapasite bileşeni böylece zamandan bağamsız hale getirilmiştir. Giriş işaretinin ilk 10 bitini (10 MSBs) sayısaldan analoga çeviren blok, bir kaç kattan oluşan bir direnç-dizisi ve anahtarlama ağı olarak düşünülebilir. Çıkış hattı üzerinde görülen zaman sabitini her kod için değişik kılan bileşen bu katlar için dirençseldir. Direnç-dizisinin koda-bağımlı eşdeğer direnci ve koda-bağımlı kapalı anahtar direnci her boğum noktası için hesaplanmış ve benzetim ortamında ölçülmüştür. Ortaya çıkan direnç profili kullanılarak, (ii) koda-bağımlı direnç dizisi eşdeğer direnci ve (iii) koda-bağımlı VGS ve VBS ile değişen kapalı anahtar direnci, direnç dizisinin her boğumuna yerleştirilen seri kalibrasyon dirençleri ile kompanse edilmiştir. Mimarinin çalışma prensibi, her kod için bir kaç kat boyunca belli anahtarların açılması ve kapanması ile istenen direnç-dizisi boğumunun çıkış hattıyla iletime girmesi üzerine kuruludur. Bu esnada, zamanlama idealsizlikleri ve tranzistörlerin tipik davranışları gereği, bir takım doğrusal olmayan yük boşalımları gerçekleşmeltedir. (iv) Çıkış hattı üzerindeki yük enjeksyonu ve diğer ilgili zamanlama hataları, özgün bir diferansiyel direnç-dizesi ve diferansiyel ara-değer-bulan OPAMP mimarisi ile büyük ölçüde azaltılmıştır. Çıkış katı tamponunun doğrusallığı, DAC'ın SFDR başarımında kilit rol oynayan unsurlardan biridir. Küçük belirgin özellikli (small feature size) proseslerde, kısa-kanal etkisi (short-channel effect) olarak adlandırılan bir MOS transistör özelliği görülmektedir. Bu etki, uzun-kanallı (1um'den fazla) transiztorlerde tam anlamıyla lineer olmayan ID/VDS özeğrisini, kısa-kanallı transistorlerde daha doğrusal kılan bir etkidir. (v) Çıkış tamponu doğrusalsızlığı, kısa-kanal etkilerinden yararlanılarak class-AB çıkış katı transizstörlerinin hız-doygunluk bölgesinde sürülmesiyle büyük ölçüde azaltılmıştır. Direnç-dizisi mimarisinin eşdeğer direncini düşürmek için, diziyi düşük dirençli döngülerden oluşturmak, 2 kattan oluşan anahtarlama şemasında tipik operasyon sırasında yüzen düğümler oluşturur. (vi) Direnç dizesi yüzen düğümlerinin LSB hassasiyeti oluşturması, döngü ön-yükleme anahtarlarıyla giderilmiştir. Bu özgün mimari geliştirmelerinin yanında, tüm katların şematik seviyede detayları (anahtar boyutları, anahtarlama mimarisi, referans gerilimleri, kod çözücü şeması, direnç-dizesi döngü uzunluğu, direnç-dizesi akımı, anahtar katı sayısı, vb.), serimden sonra çıkış hattı oturma karakteristiğini hıza ve kod-bağımsızlığa optimize edecek şekilde belirlenmiştir. Benzetim ortamı Cadence 6.02 üzerinde Spectre+AMS ile TSMC 018 prosesinin BSIM4 modellerini kullanmaktadır. Bu çalışma yalnızca teorik mimarilerin geliştirilmesi üzerine değildir. Tasarım her yönüyle üretime hazır olacak incelikle geliştirilmiştir ve bu amaca yönelik olarak, proses modelleri tarafından sağlanan eleman uyuşmazlığı istatistiki dağılımları, proses varyasyonu istatistiki dağılımları, sıcaklık ve referans gerilimi kaymaları, serim sonrası parasitik direnç ve kapasiteleri eklenmesi gibi testlerle doğrulanmıştır. Bu çalışmanın başlangıç noktası olarak aldığımız değiştirilmemiş standart mimari, 1 MHz (fo), 32 MHz (fs), 2 Vpp çıkış işareti için 60 dB şematik seviyesi SFDR vermektedir. Bu performans, çıkış hattı zaman sabiti kapasitif bileşeninin kalibre edilmesiyle 9 dB, çıkış hattı zaman sabiti dirençsel bileşeninin kalibre edilmesiyle 4 dB, diferansiyel direnç-dizesi ve diferansiyel ara-değer-bulan OPAMP mimarisinin geliştirilmesiyle 14 dB, tampon çıkış katı transizstörlerinin hız-doygunluk bölgesinde sürülmesiyle 10 dB SFDR artışı ile ortak etkilerden bağamsız olarak iyileştirilmiştir. Mimari önerilerinin bir araya getirilmesiyle, çalışmanın sonunda önerilen tasarım, tipik proses köşesi, sıcaklık ve referans kayması şartları altında 88 dB şematik seviye SFDR, 83 dB layout seviye SFDR vermektedir. Tape-out Nisan 2015'te beklenmektedir. Tape-out sonrası ölçüme hazırlık olarak piyasadaki en iyi performans veren DAC (TI DAC8580) spesifikasyonuyla tam örtüşecek şekilde ölçülmüştür.
  • Öge
    1,3-Benzotaç eterlerin sentezleri ve yapısal özellikleri
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 1996) Bozkurtoğlu, Neval ; Erk, Çakıl ; 55631 ; Kimya
    Bu çalışmada konu olan makro halkalı eterlerim yeni bir molekül sınıfı, 1,3 konumundaki dioksi grupları üzerinden kapanan, oksietilen halkasından oluşur. Bu bileşikler bine yakın türevi yapılan makro halkalı eterler arasında son derece az tanınmaktadırlar. Bu bileşikler genelde 1,3-dihidroksibenzen yani rezorsin türevleridirler. Çalışmalarımıza esas oluşturan sentezlerin hedefi bu grubun oluşabilen en küçük yapıdaki makro halkalarını elde etmektir. Öncelikle dibrometan ve rezorsin ile bazik ortamda yapılan çalışmalarda sentetik yönden geniş bir araştırma yapılmıştır. Bu konuda halka, ürün elde edilmesi yönünde istenilen ürünler ele geçmemiştir. Dolayısıyla template etki son derece hakimdir. Buna karşılık, rezorsin ve l,2-bis(2-kloroetoksi)etan, K2C03/DMSO bulunan ortamda eleştirildiğinde l,3-dibenzo-20-crown-6 ele geçrniştir. Buna karşın 1,2-dıbrometan yine rezorsin ile aynı reaksiyon koşullarında sadece uzun zincirli podand yapısındaki ürünlere dönüşmüştür. l,3-dibenzo-20-crown-6 ise stereokimyasal olarak son derece ilginç bir yapı sergilemektedir. İki rezorsin yan gruplarının etkisi nedeni ile bu molekül düzlemsel bir yapıya ulaşamamaktadır. Buna karşın aromatik halkaların paralel olmaları halinde özellikle Na+ iyonu için seçimli bir makro halka yapısı ortaya çıkmaktadır. Bu çalışmamızda organik sentezlerin yanında yaptığımız moleküler dinamik, MM* yöntemi ile yapılan hesaplamalar sonucu konformasyon analizleri ile molekül geometrileri ortaya konmuştur. Diğer taraftan rezorsinol (1,3-dihidroksibenzen) yine aynı koşullarda bis- kloropolietilen glikoller ile etMeştirilmiş ve l,3-benzo-13-crown-4 ve 1,3-benzo- 16-crown-5 molekülleri ile dimer l,3-dibenzo-20-crown-6 ve l,3-benzo-26-crown- 8 molekullerinin sentezleri sağlanmıştır.
  • Öge
    1,3-dioksepinlerin Dimetildiazomalonat/bis(asetilasetonat) Bakır(ıı) İle Reaksiyonlarının İncelenmesi
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Kumbaracı, İbrahim Volkan ; Talınlı, Naciye ; Kimyagerlik ; Chemistry
    Düz zincirli allilik asetallerin diazoesterler ile reaksiyonları hakkında literatürde birçok çalışma bulunmasına rağmen, halkalı allilik asetallerin diazo esterlerle reaksiyonları konusunda detaylı bir çalışma yapılmamıştır. Bu konudaki önemli çalışma Jenderralla tarafından yapılmış olan etildiazoasetatın CuSO4 varlığında 1,3 dioksepinler ile reaksiyonudur. Jenderralla bu çalışmada sadece 1,3 dioksepinin siklopropan türevinden bahsetmiştir. Bunun yanısıra olası diğer reaksiyon ürünlerinden örneğin; oksonyum ylid üzerinden yürüyebilecek olan, [1,2]-kayması (Stevens), [2,3]-sigmatropik göçler ve de β-Hidrojen eliminasyonlarına hiç değinmemiştir. Bu çalışmada bazı 1,3-dioksepin türevlerinin (Hidratrop aldehit asetali, 4-fenil siklohegzanon asetali ve 1,4-siklohegzandion asetali) Dimetil diazomalonat ile bis(asetilasetonat)Bakır (II) varlığında reaksiyonu incelenmiştir. Oksonyum ylid üzerinden oluşabilecek; [2,3]-sigmatropik göç, stevens çevrilmesi, β- Hidrojen eliminasyon ürünleri ile karbonil ylid üzerinden oluşabilecek ürünler ve de siklopropanlanma ürünleri karşılaştırılmıştır.
  • Öge
    1,3-ditiyolenil ve 1,3-ditiyepenil sübstitüye propargilaminlerin halka genişleme tepkimeleri
    (Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-06-27) Dinç, Mert ; Yücel, Barış ; 509211265 ; Kimya
    Halka genişleme yöntemi, farklı büyüklükteki karbohalkalı ya da heterohalkalı yapıların üretilmesinde oldukça etkili bir stratejidir. Diğer yöntemlerle, özellikle büyük halkalı yapıların üretimi daha zor ve düşük verimle gerçekleştirilebilir. Halka genişleme tepkimelerinde, halkalı bir yapıdan yola çıkılarak, daha yüksek üyeli bir halkalı yapıya bir katalizatör varlığında veya basit reaktifler eşliğinde tek bir adımda ulaşılmaktadır. Bu da halka genişleme tepkimelerini atom ekonomisi ve tepkime verimi açısından oldukça önemli kılmaktadır. Bu bağlamda, özellikle ditiyoasetal türevleri büyük ilgi çekmektedir. Ditiyoasetal türevlerini karbonil bileşikleri gibi basit moleküllerden elde etmek kolay ve ekonomiktir. Bunların arasında, özellikle 1,3-ditiyen ve 1,3-ditiyolen türevleri organik sentez çalışmalarında önemli bir rol oynamaktadır. İlk olarak, karbonil gruplarını koruma görevi üstlenirler ve hem altı üyeli 1,3-ditiyen hem de beş üyeli 1,3-ditiyolen yapıları bu amaçla sıkça kullanılır. Ayrıca uygun 1,3-ditiyen türevleri güçlü bazlar aracılığıyla açil anyon eşdeğerlerini oluşturarak çeşitli elektrofiller ile tepkimeye girerler. Bu çalışmada 1,3-ditiyolenil ve 1,3-ditiyepenil sübstitüye propargilaminlerin bazik koşullar altında halka genişleme tepkimeleri incelendi. Kuvvetli bir baz ile bu yapıların öncelikle propargilik protonunu kaybettiğini ve sonrasında 1,3-ditiyolenil ve 1,3-ditiyepenil halkalarının genişlemesiyle sırasıyla 8- ve 10-üyeli kükürt içeren heterohalkalara yeniden düzenlendiği saptandı. Tepkime koşulları optimize edilerek farklı amino ve aril gruplarına sahip 8- ve 10-üyeli S,S-heterohalkalı yapılar iyi verimlerle sentezlendiler. Baz içeren düzenlenme tepkimesi için radikalik bir mekanizma önerildi. Önerilen mekanizma döteryum etiketleme ve radikal tuzaklama deneyleriyle desteklendi.
  • Öge
    1,5kW IE4 verim sınıfı asenkron motor ve şebeke kalkışlı daimi mıknatıslı senkron motor tasarımları ve performans karşılaştırması
    (Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-02-11) Gedik, Hakan ; Ergene, Lale ; 504071007 ; Elektrik Mühendisliği
    Dünyada enerji kaynakları hızla tükenirken ve sera gazı salınımları hızla artarken karar vericiler ve politika uygulayıcılar enerji verimliliği ile ilgili ciddi çalışmalar yapmaya başlamıştır. İklim sözleşmeleri ve bunun uygulama adımları olan regülasyonlar sayesinde enerji tüketen ürün ve cihazların verim değerleri ile ilgili zorunluluklar yürürlüğü girmiştir. Elektrik motorları, enerji tüketimindeki ciddi payı sayesinde regülasyonların radarına giren ilk ürünlerden biri olmuştur. 1990'lı yılların sonunda CEMEP tarafından verimli elektrik motorları için bir gruplama yapılmış, motorlar devir sayısı ve güçlerine göre belli verim değerleri ile artan verim sınıfına göre sırasıyla EFF3, EFF2 ve EFF1 olarak gruplanmıştır. Verimlilik konusunda yapılan çalışmalar neticesinde öncelikle 2008 yılında IEC 60034-30 standardı yayımlanarak verimli motor kapsamı, tanımı ve değerleri uluslararası geçerliliği olan bir şekle dönmüştür. En düşük verim sınıfı IE1 olmak üzere IE2, IE3 ve IE4 şeklinde tariflenen motorlar, 2009 yılında Avrupa Birliği'nde yayınlanan 640/2009 regülasyonu ile zorunlu bir üretim ve kullanıma tabi olmuştur. Öncelikle IE2 ve IE3 motor kullanımını zorunlu hale getiren regülasyon Temmuz 2021 itibari ile çıtayı yükselterek 0,75kW altı motorlar haricinde IE2 motorları yasaklamış, ilave olarak 2023 yılında IE4 verim sınıfını büyük güçlü motorlarda zorunlu hale getirmiştir. Regülasyonlar ile verim çıtasının daimi yükseltildiği motor sektöründe pazara ciddi oranda hakim olan asenkron motorlarda verimi arttırıcı faaliyetler hız kazanmış, bununla beraber bu motorlara alternatif olabilecek diğer motor türlerinin endüstride yer bulabilmesi adına çalışmalar başlamıştır. Elektrik motorlarının kullanım alanları arasında ciddi orana sahip olan pompa, fan, kompresör gibi uygulamalar değişken devirli uygulamalar olmalarına rağmen inverter kullanımı çok düşük olduğu için asenkron motorlara alternatif olabilecek dikkat çekici motorlardan biri şebeke kalkışlı daimi mıknatıslı motorlar olmuştur. Bu tez çalışmasında IE3 verim sınıfı 1,5kW 4p 90 gövde bir asenkron motor referans alınarak öncelikle klasik yöntemler ile IE4 verim sınıfı seviyesine çıkarılmıştır. Bu çalışmanın yanında IE3 asenkron motorun statoru sabit tutularak yeni bir rotor tasarımı sayesinde IE4 verim sınıflı şebeke kalkışlı daimi mıknatıslı senkron motor tasarlanmış ve doğrulanmıştır. Motor gövdesi, kapaklar ve diğer mekanik parçalar IE3 verim sınıfı motora ait olup tez çalışması kapsamında tasarlanan parçalar değildir. Elektrik ve elektromanyetik tasarımlar Flux 2D ve SPEED manyetik analiz programları ile gerçekleştirilmiştir. Öncelikle var olan IE3 verim sınıfı asenkron motor modellenerek diğer çalışmalar için referans oluşturması sağlanmıştır. Klasik yöntemlerden paket boyunun arttırılması, verimli sac kullanımı, verimli rulman kullanımı gibi yöntemlerle IE4 asenkron motor tasarımı yapılmıştır. İlave olarak yeni bir rotor tasarımı ile hem mıknatıs hem de alüminyum çubuklardan oluşan hibrit bir yapı ile şebeke kalkışlı senkron motorun tasarımı tamamlanmıştır. Yapılan tasarımlar prototiplenerek IEC 60034-2-1 standardına göre sırasıyla ısınma testi, performans testi ve boşta test adımlarına tabi tutularak test edilmiştir. Yapılan testler neticesinde her iki motorun da IE4 verim değerini yakaladığı tespit edilmiştir. Başarılı tasarım ve doğrulama çalışmalarından sonra her iki motor tipinin performans değerleri karşılaştırılarak uygulama alanına göre kullanıcılar tarafından değerlendirilebilmeye sunulmuştur.
  • Öge
    1,8-diketondan Halka Oluşturma Yöntemi İle Fonksiyonel Gruplu Potansiyel Organik Süper İletkenlerin Dizayn Ve Sentezleri
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Türksoy, Figen Yalçın ; Tunca, Ümit ; Kimyagerlik ; Chemistry
    Teknolojik önemi yüksek, potansiyel süperiletkenlik özelliğine sahip organik maddeleri dizayn ve sentez etmek projenin amacını oluşturmaktadır. Süperiletkenlerin en önemli özelliği enerji kaybı olmaksızın elektrik akımını iletebilme yeteneğinde olup doğal elementlerin yaklaşık dörtte birinin bu özelliği gösterdiği bilinmektedir.Bu materyallerin önemli bazı uygulama alanlarına bakılarak şöyle sıralanabilir örneğin, kimyada “nükleer manyetik rezonas” (NMR), süperiletkenlerle çalışan manyetler, tıpta “manyetik rezonans imaging” (MRI), “mag-lev” trenler, dijital elektronikte kullanılan “Josephson junction” lar, sensörler ve kablolar. Süperiletkenlik oldukça düşük sıcaklıklarda gözlenmektedir. Bu ise maliyet açısından pratik kullanımı zayıflatmaktadır ve bilimsel çalışmalar yüksek sıcaklıkta süperiletkenlik özelliği gösteren materyalleri sentezleme yönünde yoğunlaşmış bulunmaktadır. Günümüzde en yaygın çalışılan organik süperiletken türevi, bis(ethylenedithio)tetrathiafulvalene (BEDT-TTF veya ET) dir, 12.8 K’de -(BEDT-TTF)CuN(CN)2Br ile en yüksek kritik sıcaklığa sahiptir. Bu moleküller mono anyonların radikal katyon tuzlarının metalik davranışından ve TCNQ gibi moleküllerin elektron çekici özelliğinden dolayı yarıiletken, iletken ve süperiletken özellik gösterirler. İletkenlik özelliği geliştirmek için şu çalışmalar amaçlanmıştır; i) donorun yüzeyinin genişletilmesi, bu yolla “charge-transfer” tuzunda oluşan pozitif yükün molekül üzerine dağılması ve kararlılığın arttırılması ii) radikal katyon tuz türevlerindeki anyonlar ile girişimi sağlayacak hidrojen bağı gruplarının oluşturulması Bu iki özelliğe sahip BEDT-TTF türü heterosiklik bileşiklerin dizayn ve sentezi bu tezin amacını oluşturmaktadır. Literatürde bilindiği gibi Lawesson’s reaktantı ve P4S10 ketonları tiyonlara dönüştürmede ve 1,4-diketonlardan tiyofen oluşturmada kullanılır. Bu metod, BEDT-TTF sisteminde periferal etilen köprüleri üzerindeki konjugasyonu sağlar. TTF’de 1,4-ditiyin türevi halkalar sentezlemek için kullanılan en iyi yöntem olduğu bilinmektedir. 1,8-diketonun halka kapanma reaksiyonu bu çalışmanın can alıcı adımıdır. LR veya P4S10 ile halka kapama reaksiyonu sonucu altı üyeli “ditiyin”, beş halkalı “tiyofen” ve yan ürünler elde edildi. Exosiklik sülfür atomu civa asetat ve asetik asit kullanarak oksijen atomuyla yerdeğiştirir. 1,4-ditiyin ve tiyofen literatürde verilen yönteme göre birleştirme reaksiyonu yapıldı. Buna ek olarak, hidroksil grupları içeren BEDT-TTF türevleri ve 1,4-ditiyin halkaları metoksietoksimetil ile korunarak hazırlandı. Bu donor moleküllerinin yapıları NMR ( 1H, 13C ), MASS ve Elementel Analiz ile karakterize edildi ve bunların oksidayon potansiyelleri siklik voltametriyle ölçülerek ET ile karşılaştırıldı.
  • Öge
    1-(1,3-Ditiyen-2-İl) propargilaminlerin iyodosiklizasyonuyla 3-amino-4-iyodotiyofenlerin sentezi
    (Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022) Mert, Zeynep ; Yücel, Barış ; 740890 ; Kimya Bilim Dalı
    Tiyofen türevleri biyolojik aktiviteye sahip doğal ve sentetik ürünlerin yapısında sıklıkla görülmektedir. Özellikle multi- sübstitüe olmuş ve üzerinde bir amino grubu ihtiva eden tiyofen türevleri sitotoksik, anti-enflamatuar, antiviral ve antibakteriyel aktiviteler göstermektedirler. Aynı zamanda güçlü biyolojik aktivitelere sahip multi-sübstitüe iyodotiyofenler metal katalizli çapraz bağlama reaksiyonları ile tiyofen halkasını daha da işlevselleştirmek için kullanılan değerli ara maddelerdir. Öte yandan tiyofen türevleri materyal kimyasında iletken oligomerik ya da polimerik yapılarda da yer almaktadır. Bu çalışmanın amacı 1,3-ditiyenil sübstitüe propargilamin türevlerinden yola çıkarak iyodosiklizasyon reaksiyonu ile 3-amino-4-iyodotiyofen türevlerinin sentezi için yeni ve verimli bir yöntem geliştirmektir. Başlangıç maddeleri olan 1-(1,3-ditiyen-2-il)propargilaminlerin sentezi bu tez kapsamında olmamakla birlikte, literatürde A3- kenetlenme reaksiyonu olarak bilinen bir yöntem ile sentezlenmişlerdir. Literatür araştırmalarından yola çıkılarak A3-kenetlenme ürünlerinin ditiyen bölgesinin bir dizi reaksiyonu tetikleyebileceği öngörülmüş ve A3- kenetlenme ürününün iyot ile aktive edilen üçlü bağa kükürt atomu saldırısı yoluyla molekül içi bir siklizasyona uğradığı anlaşılarak iyodotiyofen türevlerinin sentezi gerçekleştirilmiştir. İyodosiklizasyon reaksiyonu için gerçekleştirilen optimizasyon çalışmaları bir model reaksiyon üzerinden denendi ve 3-amino-4-iyodotiyofen türevi olan 4-(4-iyodo-5-fenil-(2-p-tolil)tiyofen-3-il)morfolinin başarıyla sentezlendiği görülerek yapısı tek kristal X- ray spektroskopisi ile aydınlatıldı. Optimizasyon çalışmaları sonunda aril ve heteroaril sübstitüe kenetlenme ürünleri için en iyi sonuç CH2Cl2 içinde 3 eşdeğer oranında I2 ile gerçekleştirilen reaksiyon koşulu ile sağlandı. Yapısında alkil sübstitüe ditiyenil grubu bulunan A3- kenetlenme ürünlerinin iyodosiklizasyon reaksiyonları için optimize edilen reaksiyon koşulu ise 1.5 eşdeğer CaCO3 ve 3.0 eşdeğer I2 varlığında diokzan-su karışımı içinde 70 oC sıcaklık olarak bulundu. Sonuç olarak aril, heteroaril ve alkil sübstitüe iyodotiyofen türevleri iyi- orta verimlerle sentezlendi ve flaş kolon kromotografisi ile izole edildi. 1,3-Ditiyenil sübstitüe A3- kenetlenme ürünleri, iyodosiklizasyon reaksiyonu için optimize edilen koşullarda beklenen iyodotiyofen türevlerini üretmediler. Bu başlangıç maddeleri baz içeren optimize koşullarda morfolin sübstitüe dihidroiyodotiyofen türevlerini verirken, baz içermeyen optimize koşullarda ise tiyoalkil sübstitüe iyodotiyofen türevlerini ürettiler.
  • Öge
    1-4-metilfenil-1h-pirol Ve 2,2-dımetil-3,4-propilendioksi Tiyofen’nin Elektropolimerizasyonu Ve Karakterizasyonu
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Gençtürk, Aslı ; Saraç, A. Sezai ; Polimer Bilim ve Teknolojisi ; Polymer Science and Technology
    Bu çalışmada, 1-4-Metilfenil-1H-Pirol (MPP) ve 2,2-Dimetilpropilendioksitiyofen (ProDOT-Me2) monomerleri karbon fiber mikro elektrot üzerine döngülü voltametri yardımıyla farklı polimerizasyon koşullarında (farklı tarama hızı, yükü, destek elektrolit ve çözücü) kaplanmıştır. Polimerleşmenin gerçekleştiği koşul polimerin niteliğini etkileyen önemli parametrelerden biridir. Oluşan kaplamaların karakterizasyonu, spektroelektrokimyasal ölçümleri ve elektriksel empedans ölçümleri araştırılmıştır. Oluşan kaplamaların morfolojik görüntüsünden PProDOT-Me2 polimerinin gözenekli yapıda olduğu, PMPP polimerinin karbon fiber yüzeyini tam olarak kaplanmadığı gözlenmektedir.
  • Öge
    (1-x)teo2+xcdcl2 (x=15,25,30) Camlarının Optik Özellikleri, Termal Ve Yapısal İncelenmesi
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Aydemir, Hasan Gökhan ; Öveçoğlu, Lütfi ; Malzeme ; Materials
    Telürit camlar, düşük ergime sıcaklığı, düşük cam geçiş sıcaklığı, yüksek dielektrik sabiti, yüksek kırılma indisi, üçüncü derecede lineer olmayan hassassiyet ve iyi kızıl ötesi geçirgenlik gibi bazı fiziksel özelliklerinden dolayı, silikat ve borat camlarına kıyasla daha çok avantajlara sahiptirler ve birçok teknolojik uygulamalar için uygun malzemelerdir. Bunların yanında yakın ultraviole- orta kızılötesi bölgede yüksek geçirgenliğe sahiptirler. Bunalara ek olarak atmosferik neme karşı dirençli ve nadir toprak iyonları ile geniş konsantrasyonlarda matris içine katılabilirler. TeO2 esaslı camların ısıl,optik ve piziksel özellikleri ile ilgili birçok çalışmaya literatürde rastlanmaktadır ve saf TeO2 ve M2O-TeO2 (M=Cd, Li, Na, K, Rb and Cs) camları X-ışınları difrakrometresi, nötron difraktometresi, NMR, ZAFS ve Mösbauer spektroskobu theknikleri kullanılarak karacterize edilmişlerdir. Ama TeO2-CdCl2 cam sistemi kristal faz dizilimi ile ilgili hiçbir çalışmaya litaratüre rastlanmamaktadır ve de bu camları kristallenme kinetikleri ile ilgili hiçbir çalışmada litaratürde bulunmamaktadır. Bu çalışmada bu görevlerin hepsini belirlemek hedeflenmiştir. Bu çalışma (1-x) TeO2- x CdCl2 (x=0.3, 0.25, 0.15) sisteminin microyapısal karakteristiklerinin ve kristalin fazın kristallenme kinetiğinin belirlenmesine odaklanılmıştır. Üç farklı cam kompozisyonu, %70 mol TeO2 + %30 mol CdCl2 , %75 mol TeO2 + %25 mol CdCl2 , %85 mol TeO2 + %15 mol CdCl2 camları DTA, X-ışınları difraktometresi ve taramalı elektron mikroskobu kullanılarak araştırılmıştır. Ayrıca farklı ısıtma oranalarınadaki DTA analiz sonuçları kullanılarak aktivasyon enerjisi hesaplanılmıştır.