Yayın Türü "Master Thesis" ile 'a göz atma
  • Öge
    0 – 5 Yaş Arası Çocuklarda Müzikli Oyunların Gelişime Etkisi
    (Sosyal Bilimler Enstitüsü, 2010) Kaya, Nihan Duygu ; Altınölçek, Haşmet ; Türk Müziği ; Turkish Music 
    İnsan yaşamında ilk çocukluk dönemi çok önemli bir dönem kabul edilmektedir. Psikologlar tarafından incelenen ve doğrulanan bulgulara göre ilk çocukluk dönemi, yetişkinlik dönemindeki kişiliğinin oluşmasında temel oluşturur. Dünyanın birçok bölgesinde, 0-5 yaş arası eğitime ağırlık verilmeye başlandığı ve bu konuyla ilgili dünya genelinde birçok ülkede gelişim ve oyun okulları açıldığı görülmektedir. Son yıllarda çok hızlı yaygınlaşmaya başlamış olan çocuk gelişim ve oyun okullarının en önemlilerinden biri de Gymboree Play&Music okuludur. Çocuğun gelişim hızının belirlenebilmesi, geliştirilebilmesi ve pozitif yönde ilerlemesi amaçlanarak hazırlanan gelişim destekleyici oyun programları, farklı okullarda farklı kuramlar ve yöntemler kullanılarak düzenlenmektedir.
  • Öge
    0.1-8ghz Cmos Dağılmış Parametreli Kuvvetlendirici
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Kılıç, Ali Ekber ; Yazgı, Metin ; Elektronik Mühendisliği ; Electronics Engineering
    Geniş bantlı kuvvetlendiricilerin ölçüm düzenleri, askeri elektronik, televizyon, radar ve geniş bantlı optik haberleşme gibi birçok kullanım alanı bulunmaktadır. Bu uygulamalar için genellikle dağılmış parametreli kuvvetlendirici yapısı kullanılmaktadır. Çünkü bu yapı klasik kazanç-bant genişliği ilişkisi ile sınırlanmamaktadır. Dağılmış parametreli kuvvetlendirici yapısında kazanç elemanlarının giriş ve çıkış kapasiteleri, yapay iletim hatlarının içine dahil edilmektedir. Böylece farklı hücrelerin kapasiteleri birbirlerinden ayrılmakta, aynı zamanda çıkış akımları ise hala toplanabilmektedir. Son on yılda boyut alanında devam eden küçülme sayesinde, eşlenik metal-oksit-yarıiletken (CMOS) teknolojisi dağılmış parametreli kuvvetlendirici gerçekleştirmek için ciddi bir alternatif olmuştur. Ayrıca CMOS dağılmış parametreli kuvvetlendiriciler düşük maliyet ve temel bant devreleriyle tümleştirme avantajlarına da sahiptir. Bu tezin en genel amacı dağılmış parametreli kuvvetlendirici tasarım tekniklerini araştırmak ve bu teknikleri kullanarak 0.35μm CMOS teknolojisi ile tamamen tümleştirilmiş bir dağılmış parametreli kuvvetlendirici gerçekleştirmektir. Teorik araştırmaları ve benzetim sonuçlarını doğrulamak amacıyla 0.35μm CMOS teknolojisi ile tek uçlu bir kuvvetlendirici tasarlanmış ve üretime gönderilmiştir. Bu kuvvetlendirici 0.1-8GHz aralığında 8±1 dB kazanç sağlamakta ve 1.5V beslemeden 18mA akım çekmektedir. Kuvvetlendiricinin toplam alanı 1.67x0.93 mm2 dir.
  • Öge
    0.18µm Teknolojisinde Birinci Ve Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcılar İle Yeni Olanaklar
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 2014-06-25) Gonca, Oğuz ; Kuntman, Hulusi Hakan ; 10041319 ; Elektronik ve Haberleşme Mühendisligi ; Electronic and Communication Engineering
    Akım modlu devreler ve akım taşıyıcı gibi akım modlu devre elemanları son yıllarda birçok çalışmaya konu olmuşlardır. Akım modlu devre elemanlarına karşı giderek artmakta olan bu ilgi, akım modlu devre elemanlarının işlemsel kuvvetlendirici gibi gerilim modlu devre elemanlarına göre daha iyi lineerlik ve daha iyi band genişlikleri sağlamasından kanaklanmaktadır. Buna paralel olarak akım modlu süzgeçler, gerilim modlu benzerlerine göre daha geniş dinamik sınırlar ve daha büyük band genişlikleri sunabilmektedirler. Düşük giriş empedansları ve yüksek çıkış empedanslarına sahip akım modlu süzgeçler, herhangi bir ek aktif elemana ihtiyaç duyulmaksızın, ard arda bağlanarak daha yüksek seviyeli süzgeçler ve osilatörler elde edilebilmektedir. Bu tez çalışmasında, genel olarak her kuşak akım taşıyıcı yapısına değinilmiş, yapıların çalışma şekilleri, tanım bağıntınları ortaya konulmuştur. Ayrıca bir kuşaktan diğerini geçekleştirme yötemlerine yer verilmiştir. Ağırlıklı olarak Birinci Kuşak Akım Taşıyıcılar (CCI) ve Üçüncü Kuşak akım taşıyıcılar (CCIII) ele alınmış ve daha iyi lineerlik için farklı giriş katları daha esnek çıkış kazançları için yeni elemanlar önerilmiştir. Bölüm 1’de konuya genel bir giriş yapılmış, tez çalışmasınında nelerin amaçlandığından bahsedilmiş ve literatürde şimdiye kadar yapılmış olan çalışmalara yer verilmiştir. Bölüm 2’de akım taşıyıcıların genel özellikleri ortaya konulmuştur. Ayrıca birinci, ikinci ve üçüncü kuşak akım taşıyıcı yapıları ayrıntılarıyla incelenmiş buna ek olarak Elektronik Olarak Kontrol Edilebilen İkinci Kuşak Akım Taşıyıcı (ECCII) yapısına ve  Değiştirilmiş Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (MCCIII) yapılarına yer verilmiştir. Kuşaklar arası dönüşüm yöntemleri de bu bölüm içerisinde yer almaktadır.  Bölüm 3’te CCI ve CCIII için iç yapılar önerilmiş ve bu yapılar giriş ve çıkış eşitlikleriyle incelenmiştir. Bölüm 4’te gerçekleştirilen CCI ve CCIII yapıları için benzetimler sonucunda elde edilmiş olan karakteristik eğrileri verilmiştir. Bölüm 5’te CCI ve CCIII yapılarının kullanılabileceği uygulama devrelerinden örnekler verilmiş ve devre yapıları incelenmiştir. Ayrıca devrelerin SPICE benzetim sonuçları sunulmuştur. Bölüm 6’da elde edilen sonuçlar değerlendirilmiş ve tezin amacına ne kadar yaklaştığı gerekçeleriyle ortaya konulmuştur.
  • Öge
    0.35 Um Yüksek Gerilim Cmos Prosesinde Giriş İşaret Aralığı Genişletilmiş 14 Bıt 1msps Sar Adc
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Özkaya, İlter ; Aksın, Devrim Yılmaz ; Elektronik Mühendisliği ; Electronics Engineering
    Bu çalışmada giriş işaret aralığı genişletilmiş, 14 bit çözünürlükte ve 1 MSps örnekleme hızında çalışan ardışıl yaklaşımlı analog sayısal çevirici gerçeklenmiştir. Giriş işaret aralığını genişletmek üzere yeni bir örnekleme tekniği önerilmiştir. Bu teknik kullanılarak gerçeklenen örnekleme anahtarı standard tümdevre gerilimi ile sürülebilmekte, fakat besleme değerinin çok üstündeki analog işaretleri örnekleyebilmektedir. Bahsedilen anahtar gerçeklenmiş ve işlerlik testlerini geçmiştir. Bu anahtar kullanılarak tasarlanan analog sayısal çeviricinin performansı benzetimlerle doğrulanmış ve pazarda bulunan ürünlerle kıyaslanmıştır. Kullanılan örnekleme tekniği sayesinde, özellikle güç tüketimi açısından büyük avantaj sağladığı görülmüştür. Tasarlanan analog sayısal çevirici için muhtemel kullanım alanları sayısal kontrollü süreç kontrol sistemleridir. Bundan başka, otomotiv ve telekom sanayiileri gibi yüksek gerilim gerektiren alanlarda da kullanılabilir.
  • Öge
    1 Ekim 1995 Dinar Depremi Faylanma Parametrelerinin İnsar Ve Sismoloji Verileriyle Belirlenmesi
    (Avrasya Yer Bilimleri Enstitüsü, ) Çetin, Esra ; Çakır, Ziyadin ; 266236 ; İklim ve Deniz Bilimleri ; Climate and Marine Sciences
    Bu çalışmada 1 Ekim 1995 Dinar depreminin (Ms=6.1) artçı şok analizi ve Yapay Açıklık Radar İnterferometrisi (Synthetic Aperture Radar Interferometry:InSAR) tekniği kullanılarak depremin kaynak parametreleri ortaya çıkartılmaya çalışılmıştır. Sismik kaydı okunup lokasyonu bulunan 4000 civarındaki artçı sarsıntının dağılımından deprem kırığının haritalanan yüzey kırığından 7-8 km daha uzun olduğu ve kuzeybatıya doğru devam ettiği anlaşılmıştır. HypoDD tekniği ile lokasyonları iyileştirilen yaklaşık 1100 civarında artçı sarsıntının dağılımından kırığın listrik bir geometriye sahip olduğu sonucuna varılmıştır. InSAR yöntemiyle bulunan yeryüzü deformasyonu bu listrik şekilli fay üzerinde meydana gelen kaymalar ile açıklanmaya çalışılmıştır. Bunun için yüzeyden 8 km derinliğe kadar eğim 65°'den 40°'ye azalan, 20 km uzunluğunda ve 19 km genişliğinde bir listrik fay yüzeyi oluşturulmuştur. Bu yüzey daha sonra üçgen parçalara bölünmüş her üçgen yüzey üzerinde meydana gelen normal ve yanal kayma bileşeni belli bir pürüzlülük kıstası altında elastik yerdeğiştirme metodu kullanarak ters çözümleme yoluyla modellenmiştir. Modelleme sonucunda fay yüzeyinde kaymanın iki ana alanda odaklandığı tespit edilmiştir. Maksimum kaymanın 70 cm'ye ulaştığı daha büyük alana yayılan kaymanın fayın eğiminin yüksek olduğu sığ derinliklerde (5-6 km) meydana geldiği anlaşılmaktadır. Daha küçük bir alanda odaklanan ikinci kayma ise fayın eğimin azaldığı daha derin kısımlarda bulunmaktadır. Yüzeyde bulunan kayma ise arazi gözlemleriyle uyumlu çıkmaktadır. Ters çözümleme sismik gözlemlere uygun olarak hakim normal faylanmanın dışında önemli miktarda sağ-yanal doğrultu atımlı faylanma da tespit etmektedir. Bu kayma dağılımının telesismik yöntemlerle elde edilen kayma dağılımıyla uyumlu olduğu görülmektedir.
  • Öge
    1 Kw Elektrotermal Argon Arkjet Motoru, Deneysel Amaçlı
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Onur, Ali Orçun ; Gülçat, Ülgen ; Uzay Bilimleri ve Teknolojisi ; Space Sciences and Technology
    Bu çalışma, özellikle uzaya yönelik olarak geliştirilen ileri itki sistemlerinden elektrotermal arkjet motorunun labarotuvar modelinin oluşturulması amacı ile yapılmıştır. Daha sonra, bu labarotuvar modelinin bir deney seti olarak düzenlenmesi amaçlanmıştır. Bu deney seti, Ertürk TANRISEVER tarafından geliştirilen tıp cihazı model alınarak yapılmış olup, bu çalışma esnasında herhangi bir sayısal çözümleme yapılmamıştır. Elektrotermal arkjet motorunun en önemli özelliği, aynı görev için kullanılan kimyasal roketlere göre itki malzemesi tüketiminin oldukça düşük olmasıdır ve bu özellik sayesinde yörüngeye çıkartılması gereken yakıt miktarı azalacaktır. Oluşturulan deney seti güvenlik sebepleri ile itki malzemesi olarak argon gazı kullanmaktadır.
  • Öge
    1 MHz Çıkış Frekansında 80+dB SFDR Başarımı Elde Eden 0.18 Um 16-b 32 MSPS CMOS Gerilim Çıkışlı Sayısal-analog Çevirici Tasarımı
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 2015-01-22) Özdağ, Çağlar ; Küyel, Türker ; 10063133 ; Elektronik ve Haberleşme Mühendisligi ; Electronic and Communication Engineering
    Sayısal işaretlerin, analog kontrol ve transfer sistemlerine arabağlanması, sayısal-analog-çevirici (DAC) olarak isimlendirilmiş entegre devreler (IC) ile gerçekleştirilir. Bu elektronik mimariler ile, yüksek örnekleme frekanslarında, yüksek hassasiyet ve yüksek dinamik doğrusallık elde edebilmek, tüm ilgili başarım ödünleşimlerinin karmaşık bir şekilde bağlantılı olması nedeniyle, her zaman süregiden bir araştırma alanıdır. Başarım ödünleşimlerinin doğası gereği, belli DAC mimarileri belli uygulamalar için kullanılır ve bu uygulamalar altı ana parametreyi önceliklendirir: fiziksel boyut, güç tüketimi, çözünürlük, bant genişliği, duyarlık ve maliyet. Her türlü iletişim, veri toplama, işaret işleme ve kontrol sistemlerinde kullanılan DAC mimarileri, iki aile şeklinde sınıflandırılabilir: (i) monotonluk, sürüklenme duyarlığı ve yerleşme duyarlığı pahasına yüksek hız sağlayan akım-mod tip mimariler ve (ii) yüksek hız ve çözünürlük pahasına yerleşme duyarlığı sağlayan gerilim-mod tip mimariler.  Zamanla değişen yükleri doğrusal bir yerleşme karakteristiği ile sürebilmek için DAC'ların çıkışlarında bir tampon katı olmalıdır. Akım-mod tip mimarilerde bu tampon katı, akımdan gerilime dönüştürücü olarak işlev görür. Dönüşümü yapmak için kullanılan geri-besleme direncinin gerilim ve sıcaklık ile sürüklenmesi, bu tip mimarilerin hassas yerleşme niteliğini kısıtlar. Akım-mod DAC çıkış katı direncinin silikon özerinde imal edildiği ve bu sorunun kısmi olarak giderildiği tasarımlar mevcut olsa da, bu mimarilerin de gliç (zamanlama hatalası) problemleri vardır. Bu nedenle yerleşme karakteristiğinin doğrusal olması gerektiği hassas dalga üretimi uygulamalarında, tercih edilmezler. Bu çalışma, daha karşılanmamış bir gereksinim olan, hassas yerleşme, yüksek hız ve yüksek çözünürlük sağlayan bir DAC mimarisi önerisidir. Tasarım, standart direnç-dizesi tip tamponlu gerilim çıkışlı DAC mimarisini baz almakta ve zamanla değişen yükleri yüksek çıkış frekansları için sürebilmek adına dinamik doğrusallık başarımını geniş ölçüde geliştirmektedir. Direnç-dizesi tip DAC mimarilerinin çalışma prensibi, bir direnç dizesi üzerindeki düğümlerin, giriş kod çözücüsü tarafından kontrol edilen bir anahtarlama şeması ile seçilmesi, ve bu düğüm üzerindeki gerilimin çıkış tamponu tarafından sürülmesi üzerine kurulmuştur. Bu direnç-dizesi, anahtarlar ve çıkış tamponunun çalışma aralığı tarafından belirlenen iki gerilim referansı arasında, tam ölçek çıkış aralığını eşit parçalara böler. Bu tür veri dönüştürücülerinin DC başarımını, gerilim referanslarının hassasiyeti, ve daha önemlisi, direnç-dizesi elemanlarının uyuşması belirler. Statik doğrusalsızlıklar olarak adlandırılan bu sorunlar, düşük bant genişliklerinde tipik olarak 10 bitlik, yüksek maliyetli proseslerde lazer kırpma gibi özel teknikler kullanılarsa 12 bitlik doğruluk verebilecek derecede sayısal olarak kalibre edilebilir. Bu tekniklerden, off-chip taramalı-tablo (look-up-table) DC kalibrasyonu olarak adlandırılan yöntem, düşük maliyetli DC kalibrasyonlar arasında standart uygulama haline gelmiştir ve bu tasarım için tape-out sonrası kullanılacağı varsayılmıştır. Bu yöntemle alınabilecek çözünürlük sınırlı olduğundan, 16 bit seviyesinde doğruluk alabilmek için, ikinci bir DAC katı olarak ara-değer-bulan OPAMP (interpolating OPAMP) gibi mimariler kullanılabilir. Devreyi hızlandırmak adına, çıkış katı zaman sabitini asgariye indirmek için düşük eşdeğer dirençli direnç-dizesi mimarilerinin de kullanımıyla, piyasadaki mevcut en iyi performans veren DAC tasarımlarına yakın benzetim sonuçları alınabilmektedir. Fakat, yüksek bant genişliklerinde dinamik doğrusallığı etkileyen hata mekanizmaları çoğunlukla çözülememiş durumdadır. Bu eksiklik, gerilim çıkışlı DAC mimarilerinin yüksek hızlı hassas dalga üretimi uygulamalarında kullanılmasını kısıtlamaktadır.  DAC mimarilerinin en temel dinamik başarım ölçüsü, çıkış dalgasının spüriyözsüz dinamik aralığıdır (SFDR). SFDR, işaret genliğinin kare ortalamalarının kökünün (rms), ilk Nyquist bölgesindeki en yüksek spüriyöz bileşenine oranıdır, ve toplam harmonik bozulma (THD) ve intermodulasyon distorsiyon (IMD) ile olan yakın ilişkisinden dolayı iyi bir dinamik doğrusallık göstergesidir. Bu çalışmada sunulan benzetim sonuçlarının çoğu, tam ölçek çıkış dalgasının SFDR'ı üzerinden incelenmiştir. Şu an piyasada state-of-the-art kabul edilen 16-bitlik gerilim çıkışlı DAC (TI-DAC8580), spesifikasyonunda listelenen en yüksek çıkış frekansında (200 kHz) 63 dB SFDR vermektedir. Bu çalışmada önerilen DAC mimarisi bu çıtayı büyük bir fark ile aşarak, 1 MHz'lik bir işaret için serim-sonrası (post-layout) 83 dB SFDR vermektedir. Bu başarımı elde etmek için, altı ana dinamik hata mekanizması belirlenmiş ve kompanse edilmiştir. Mimarinin çıkış katı, son altı biti (6 LSBs) sayısaldan analoga çevirme işlemini gerçekleştirmektedir. Bu işlem sırasında, mimarinin doğası gereği ara-değer-bulan OPAMP giriş kapasitesi koda-bağımlı olduğundan, çıkış hattı üzerinde görülen zaman sabiti her kod için değişmektedir. Bu idealsizlik, (i) dummy ara-değer-bulan OPAMP giriş katları ve dummy diferansiyel ikilisi anahtarları ile kompanse edilmiştir. Çıkış hattı üzerinde görülen zaman sabitinin kapasite bileşeni böylece zamandan bağamsız hale getirilmiştir. Giriş işaretinin ilk 10 bitini (10 MSBs) sayısaldan analoga çeviren blok, bir kaç kattan oluşan bir direnç-dizisi ve anahtarlama ağı olarak düşünülebilir. Çıkış hattı üzerinde görülen zaman sabitini her kod için değişik kılan bileşen bu katlar için dirençseldir. Direnç-dizisinin koda-bağımlı eşdeğer direnci ve koda-bağımlı kapalı anahtar direnci her boğum noktası için hesaplanmış ve benzetim ortamında ölçülmüştür. Ortaya çıkan direnç profili kullanılarak, (ii) koda-bağımlı direnç dizisi eşdeğer direnci ve (iii) koda-bağımlı VGS ve VBS ile değişen kapalı anahtar direnci, direnç dizisinin her boğumuna yerleştirilen seri kalibrasyon dirençleri ile kompanse edilmiştir. Mimarinin çalışma prensibi, her kod için bir kaç kat boyunca belli anahtarların açılması ve kapanması ile istenen direnç-dizisi boğumunun çıkış hattıyla iletime girmesi üzerine kuruludur. Bu esnada, zamanlama idealsizlikleri ve tranzistörlerin tipik davranışları gereği, bir takım doğrusal olmayan yük boşalımları gerçekleşmeltedir. (iv) Çıkış hattı üzerindeki yük enjeksyonu ve diğer ilgili zamanlama hataları, özgün bir diferansiyel direnç-dizesi ve diferansiyel ara-değer-bulan OPAMP mimarisi ile büyük ölçüde azaltılmıştır. Çıkış katı tamponunun doğrusallığı, DAC'ın SFDR başarımında kilit rol oynayan unsurlardan biridir. Küçük belirgin özellikli (small feature size) proseslerde, kısa-kanal etkisi (short-channel effect) olarak adlandırılan bir MOS transistör özelliği görülmektedir. Bu etki, uzun-kanallı (1um'den fazla) transiztorlerde tam anlamıyla lineer olmayan ID/VDS özeğrisini, kısa-kanallı transistorlerde daha doğrusal kılan bir etkidir. (v) Çıkış tamponu doğrusalsızlığı, kısa-kanal etkilerinden yararlanılarak class-AB çıkış katı transizstörlerinin hız-doygunluk bölgesinde sürülmesiyle büyük ölçüde azaltılmıştır. Direnç-dizisi mimarisinin eşdeğer direncini düşürmek için, diziyi düşük dirençli döngülerden oluşturmak, 2 kattan oluşan anahtarlama şemasında tipik operasyon sırasında yüzen düğümler oluşturur. (vi) Direnç dizesi yüzen düğümlerinin LSB hassasiyeti oluşturması, döngü ön-yükleme anahtarlarıyla giderilmiştir. Bu özgün mimari geliştirmelerinin yanında, tüm katların şematik seviyede detayları (anahtar boyutları, anahtarlama mimarisi, referans gerilimleri, kod çözücü şeması, direnç-dizesi döngü uzunluğu, direnç-dizesi akımı, anahtar katı sayısı, vb.), serimden sonra çıkış hattı oturma karakteristiğini hıza ve kod-bağımsızlığa optimize edecek şekilde belirlenmiştir. Benzetim ortamı Cadence 6.02 üzerinde Spectre+AMS ile TSMC 018 prosesinin BSIM4 modellerini kullanmaktadır. Bu çalışma yalnızca teorik mimarilerin geliştirilmesi üzerine değildir. Tasarım her yönüyle üretime hazır olacak incelikle geliştirilmiştir ve bu amaca yönelik olarak, proses modelleri tarafından sağlanan eleman uyuşmazlığı istatistiki dağılımları, proses varyasyonu istatistiki dağılımları, sıcaklık ve referans gerilimi kaymaları, serim sonrası parasitik direnç ve kapasiteleri eklenmesi gibi testlerle doğrulanmıştır. Bu çalışmanın başlangıç noktası olarak aldığımız değiştirilmemiş standart mimari, 1 MHz (fo), 32 MHz (fs), 2 Vpp çıkış işareti için 60 dB şematik seviyesi SFDR vermektedir. Bu performans, çıkış hattı zaman sabiti kapasitif bileşeninin kalibre edilmesiyle 9 dB, çıkış hattı zaman sabiti dirençsel bileşeninin kalibre edilmesiyle 4 dB, diferansiyel direnç-dizesi ve diferansiyel ara-değer-bulan OPAMP mimarisinin geliştirilmesiyle 14 dB, tampon çıkış katı transizstörlerinin hız-doygunluk bölgesinde sürülmesiyle 10 dB SFDR artışı ile ortak etkilerden bağamsız olarak iyileştirilmiştir. Mimari önerilerinin bir araya getirilmesiyle, çalışmanın sonunda önerilen tasarım, tipik proses köşesi, sıcaklık ve referans kayması şartları altında 88 dB şematik seviye SFDR, 83 dB layout seviye SFDR vermektedir. Tape-out Nisan 2015'te beklenmektedir. Tape-out sonrası ölçüme hazırlık olarak piyasadaki en iyi performans veren DAC (TI DAC8580) spesifikasyonuyla tam örtüşecek şekilde ölçülmüştür.
  • Öge
    1,3-Benzotaç eterlerin sentezleri ve yapısal özellikleri
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 1996) Bozkurtoğlu, Neval ; Erk, Çakıl ; 55631 ; Kimya
    Bu çalışmada konu olan makro halkalı eterlerim yeni bir molekül sınıfı, 1,3 konumundaki dioksi grupları üzerinden kapanan, oksietilen halkasından oluşur. Bu bileşikler bine yakın türevi yapılan makro halkalı eterler arasında son derece az tanınmaktadırlar. Bu bileşikler genelde 1,3-dihidroksibenzen yani rezorsin türevleridirler. Çalışmalarımıza esas oluşturan sentezlerin hedefi bu grubun oluşabilen en küçük yapıdaki makro halkalarını elde etmektir. Öncelikle dibrometan ve rezorsin ile bazik ortamda yapılan çalışmalarda sentetik yönden geniş bir araştırma yapılmıştır. Bu konuda halka, ürün elde edilmesi yönünde istenilen ürünler ele geçmemiştir. Dolayısıyla template etki son derece hakimdir. Buna karşılık, rezorsin ve l,2-bis(2-kloroetoksi)etan, K2C03/DMSO bulunan ortamda eleştirildiğinde l,3-dibenzo-20-crown-6 ele geçrniştir. Buna karşın 1,2-dıbrometan yine rezorsin ile aynı reaksiyon koşullarında sadece uzun zincirli podand yapısındaki ürünlere dönüşmüştür. l,3-dibenzo-20-crown-6 ise stereokimyasal olarak son derece ilginç bir yapı sergilemektedir. İki rezorsin yan gruplarının etkisi nedeni ile bu molekül düzlemsel bir yapıya ulaşamamaktadır. Buna karşın aromatik halkaların paralel olmaları halinde özellikle Na+ iyonu için seçimli bir makro halka yapısı ortaya çıkmaktadır. Bu çalışmamızda organik sentezlerin yanında yaptığımız moleküler dinamik, MM* yöntemi ile yapılan hesaplamalar sonucu konformasyon analizleri ile molekül geometrileri ortaya konmuştur. Diğer taraftan rezorsinol (1,3-dihidroksibenzen) yine aynı koşullarda bis- kloropolietilen glikoller ile etMeştirilmiş ve l,3-benzo-13-crown-4 ve 1,3-benzo- 16-crown-5 molekülleri ile dimer l,3-dibenzo-20-crown-6 ve l,3-benzo-26-crown- 8 molekullerinin sentezleri sağlanmıştır.
  • Öge
    1,3-dioksepinlerin Dimetildiazomalonat/bis(asetilasetonat) Bakır(ıı) İle Reaksiyonlarının İncelenmesi
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Kumbaracı, İbrahim Volkan ; Talınlı, Naciye ; Kimyagerlik ; Chemistry
    Düz zincirli allilik asetallerin diazoesterler ile reaksiyonları hakkında literatürde birçok çalışma bulunmasına rağmen, halkalı allilik asetallerin diazo esterlerle reaksiyonları konusunda detaylı bir çalışma yapılmamıştır. Bu konudaki önemli çalışma Jenderralla tarafından yapılmış olan etildiazoasetatın CuSO4 varlığında 1,3 dioksepinler ile reaksiyonudur. Jenderralla bu çalışmada sadece 1,3 dioksepinin siklopropan türevinden bahsetmiştir. Bunun yanısıra olası diğer reaksiyon ürünlerinden örneğin; oksonyum ylid üzerinden yürüyebilecek olan, [1,2]-kayması (Stevens), [2,3]-sigmatropik göçler ve de β-Hidrojen eliminasyonlarına hiç değinmemiştir. Bu çalışmada bazı 1,3-dioksepin türevlerinin (Hidratrop aldehit asetali, 4-fenil siklohegzanon asetali ve 1,4-siklohegzandion asetali) Dimetil diazomalonat ile bis(asetilasetonat)Bakır (II) varlığında reaksiyonu incelenmiştir. Oksonyum ylid üzerinden oluşabilecek; [2,3]-sigmatropik göç, stevens çevrilmesi, β- Hidrojen eliminasyon ürünleri ile karbonil ylid üzerinden oluşabilecek ürünler ve de siklopropanlanma ürünleri karşılaştırılmıştır.
  • Öge
    1,5kW IE4 verim sınıfı asenkron motor ve şebeke kalkışlı daimi mıknatıslı senkron motor tasarımları ve performans karşılaştırması
    (Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-02-11) Gedik, Hakan ; Ergene, Lale ; 504071007 ; Elektrik Mühendisliği
    Dünyada enerji kaynakları hızla tükenirken ve sera gazı salınımları hızla artarken karar vericiler ve politika uygulayıcılar enerji verimliliği ile ilgili ciddi çalışmalar yapmaya başlamıştır. İklim sözleşmeleri ve bunun uygulama adımları olan regülasyonlar sayesinde enerji tüketen ürün ve cihazların verim değerleri ile ilgili zorunluluklar yürürlüğü girmiştir. Elektrik motorları, enerji tüketimindeki ciddi payı sayesinde regülasyonların radarına giren ilk ürünlerden biri olmuştur. 1990'lı yılların sonunda CEMEP tarafından verimli elektrik motorları için bir gruplama yapılmış, motorlar devir sayısı ve güçlerine göre belli verim değerleri ile artan verim sınıfına göre sırasıyla EFF3, EFF2 ve EFF1 olarak gruplanmıştır. Verimlilik konusunda yapılan çalışmalar neticesinde öncelikle 2008 yılında IEC 60034-30 standardı yayımlanarak verimli motor kapsamı, tanımı ve değerleri uluslararası geçerliliği olan bir şekle dönmüştür. En düşük verim sınıfı IE1 olmak üzere IE2, IE3 ve IE4 şeklinde tariflenen motorlar, 2009 yılında Avrupa Birliği'nde yayınlanan 640/2009 regülasyonu ile zorunlu bir üretim ve kullanıma tabi olmuştur. Öncelikle IE2 ve IE3 motor kullanımını zorunlu hale getiren regülasyon Temmuz 2021 itibari ile çıtayı yükselterek 0,75kW altı motorlar haricinde IE2 motorları yasaklamış, ilave olarak 2023 yılında IE4 verim sınıfını büyük güçlü motorlarda zorunlu hale getirmiştir. Regülasyonlar ile verim çıtasının daimi yükseltildiği motor sektöründe pazara ciddi oranda hakim olan asenkron motorlarda verimi arttırıcı faaliyetler hız kazanmış, bununla beraber bu motorlara alternatif olabilecek diğer motor türlerinin endüstride yer bulabilmesi adına çalışmalar başlamıştır. Elektrik motorlarının kullanım alanları arasında ciddi orana sahip olan pompa, fan, kompresör gibi uygulamalar değişken devirli uygulamalar olmalarına rağmen inverter kullanımı çok düşük olduğu için asenkron motorlara alternatif olabilecek dikkat çekici motorlardan biri şebeke kalkışlı daimi mıknatıslı motorlar olmuştur. Bu tez çalışmasında IE3 verim sınıfı 1,5kW 4p 90 gövde bir asenkron motor referans alınarak öncelikle klasik yöntemler ile IE4 verim sınıfı seviyesine çıkarılmıştır. Bu çalışmanın yanında IE3 asenkron motorun statoru sabit tutularak yeni bir rotor tasarımı sayesinde IE4 verim sınıflı şebeke kalkışlı daimi mıknatıslı senkron motor tasarlanmış ve doğrulanmıştır. Motor gövdesi, kapaklar ve diğer mekanik parçalar IE3 verim sınıfı motora ait olup tez çalışması kapsamında tasarlanan parçalar değildir. Elektrik ve elektromanyetik tasarımlar Flux 2D ve SPEED manyetik analiz programları ile gerçekleştirilmiştir. Öncelikle var olan IE3 verim sınıfı asenkron motor modellenerek diğer çalışmalar için referans oluşturması sağlanmıştır. Klasik yöntemlerden paket boyunun arttırılması, verimli sac kullanımı, verimli rulman kullanımı gibi yöntemlerle IE4 asenkron motor tasarımı yapılmıştır. İlave olarak yeni bir rotor tasarımı ile hem mıknatıs hem de alüminyum çubuklardan oluşan hibrit bir yapı ile şebeke kalkışlı senkron motorun tasarımı tamamlanmıştır. Yapılan tasarımlar prototiplenerek IEC 60034-2-1 standardına göre sırasıyla ısınma testi, performans testi ve boşta test adımlarına tabi tutularak test edilmiştir. Yapılan testler neticesinde her iki motorun da IE4 verim değerini yakaladığı tespit edilmiştir. Başarılı tasarım ve doğrulama çalışmalarından sonra her iki motor tipinin performans değerleri karşılaştırılarak uygulama alanına göre kullanıcılar tarafından değerlendirilebilmeye sunulmuştur.
  • Öge
    1-4-metilfenil-1h-pirol Ve 2,2-dımetil-3,4-propilendioksi Tiyofen’nin Elektropolimerizasyonu Ve Karakterizasyonu
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Gençtürk, Aslı ; Saraç, A. Sezai ; Polimer Bilim ve Teknolojisi ; Polymer Science and Technology
    Bu çalışmada, 1-4-Metilfenil-1H-Pirol (MPP) ve 2,2-Dimetilpropilendioksitiyofen (ProDOT-Me2) monomerleri karbon fiber mikro elektrot üzerine döngülü voltametri yardımıyla farklı polimerizasyon koşullarında (farklı tarama hızı, yükü, destek elektrolit ve çözücü) kaplanmıştır. Polimerleşmenin gerçekleştiği koşul polimerin niteliğini etkileyen önemli parametrelerden biridir. Oluşan kaplamaların karakterizasyonu, spektroelektrokimyasal ölçümleri ve elektriksel empedans ölçümleri araştırılmıştır. Oluşan kaplamaların morfolojik görüntüsünden PProDOT-Me2 polimerinin gözenekli yapıda olduğu, PMPP polimerinin karbon fiber yüzeyini tam olarak kaplanmadığı gözlenmektedir.
  • Öge
    (1-x)teo2+xcdcl2 (x=15,25,30) Camlarının Optik Özellikleri, Termal Ve Yapısal İncelenmesi
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Aydemir, Hasan Gökhan ; Öveçoğlu, Lütfi ; Malzeme ; Materials
    Telürit camlar, düşük ergime sıcaklığı, düşük cam geçiş sıcaklığı, yüksek dielektrik sabiti, yüksek kırılma indisi, üçüncü derecede lineer olmayan hassassiyet ve iyi kızıl ötesi geçirgenlik gibi bazı fiziksel özelliklerinden dolayı, silikat ve borat camlarına kıyasla daha çok avantajlara sahiptirler ve birçok teknolojik uygulamalar için uygun malzemelerdir. Bunların yanında yakın ultraviole- orta kızılötesi bölgede yüksek geçirgenliğe sahiptirler. Bunalara ek olarak atmosferik neme karşı dirençli ve nadir toprak iyonları ile geniş konsantrasyonlarda matris içine katılabilirler. TeO2 esaslı camların ısıl,optik ve piziksel özellikleri ile ilgili birçok çalışmaya literatürde rastlanmaktadır ve saf TeO2 ve M2O-TeO2 (M=Cd, Li, Na, K, Rb and Cs) camları X-ışınları difrakrometresi, nötron difraktometresi, NMR, ZAFS ve Mösbauer spektroskobu theknikleri kullanılarak karacterize edilmişlerdir. Ama TeO2-CdCl2 cam sistemi kristal faz dizilimi ile ilgili hiçbir çalışmaya litaratüre rastlanmamaktadır ve de bu camları kristallenme kinetikleri ile ilgili hiçbir çalışmada litaratürde bulunmamaktadır. Bu çalışmada bu görevlerin hepsini belirlemek hedeflenmiştir. Bu çalışma (1-x) TeO2- x CdCl2 (x=0.3, 0.25, 0.15) sisteminin microyapısal karakteristiklerinin ve kristalin fazın kristallenme kinetiğinin belirlenmesine odaklanılmıştır. Üç farklı cam kompozisyonu, %70 mol TeO2 + %30 mol CdCl2 , %75 mol TeO2 + %25 mol CdCl2 , %85 mol TeO2 + %15 mol CdCl2 camları DTA, X-ışınları difraktometresi ve taramalı elektron mikroskobu kullanılarak araştırılmıştır. Ayrıca farklı ısıtma oranalarınadaki DTA analiz sonuçları kullanılarak aktivasyon enerjisi hesaplanılmıştır.
  • Öge
    (1-x)teo2–xgeo2 (x = 0.10, 0.20, 0.30) Camlarının Isıl Analizi Ve Mikroyapısal İncelemesi
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Kalem, Volkan ; Öveçoğlu, M. Lütfi ; Malzeme Bilimi ve Mühendisliği ; Material Science and Engineering
    Tellürit camlar, silikat ve borat camlara kıyasla düşük ergime sıcaklığı, yüksek dielektrik sabiti, yüksek kırılım indisi ve iyi kızılötesi geçirgenlik gibi kullanışlı ve ilginç fiziksel özelliklere sahiptirler. Bu nedenle, tellürit camları son yıllarda bir çok teknolojik uygulama için uygun malzemeler olmuşlardır. Bu tür camlarda meydana gelebilecek çekirdeklenme ve kristallenme olayları hakkında bilgi sahibi olmak camda çekirdeklenme ve kristallenmenin istenmediği pratik uygulamalarda (optik fiberler,lazer camları, optik dönüşüm cihazları gibi) kararlılığını belirlemek açısından önemlidir. Bu çalışmada, GeO2 miktarının (1-x) TeO2 – x GeO2 (x = 0.10, 0.20, 0.30) camlarının ısıl özellikleri, kristallenme kinetiği, mikroyapı morfolojisi ve kristal fazlarının oluşumuna olan etkisi diferansiyel termal analiz (DTA), X-ışınları difraktometresi (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) teknikleri ile incelenmiştir. DTA analizleri sonucunda, üç farklı kompozisyondaki TeO2 – GeO2 camı için cam geçiş ve kristallenme sıcaklıkları belirlenmiştir. Bu değerler kullanılarak her bir cam için kristallenme mekanizması, hacimsel kristalizasyon olarak belirlenmiş ve kristallenme aktivasyon enerjileri elde edilmiştir.
  • Öge
    10 Gbit/s Fiber Optik Alıcılar İçin Sige Bicmos Farksal Geçiş-empedansı Kuvvetlendiricisi Tasarımı
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Akbey, Yunus ; Palamutçuoğulları, Osman ; 10025847 ; Elektronik Mühendisliği ; Electronics Engineering
    1970’lerin başında silika fiberin kaybının 20 dB/km düzeyinin altına indirilmesi sonucunda, telekomünikasyon sektöründe ve daha sonra internet ve veri paylaşımı alanında fiber optiğin payı yıllar ilerledikçe artmıştır. Şüphesiz bunda etkili olan en büyük nedenler; ışığın kullanılmasıyla gerçekleştirilen veri transferinin EMI’den çok az etkilenmesi, çapraz-geçişin (cross-talk) çok az oluşu, düşük üretim ve montaj maliyetleri ve de dayanıklılık gibi fiber kablonun sağladığı üstünlüklerdir. Fiber optiğin en azından teorik olarak hali hazırda çok büyük bant genişliği sağlayabilmesi ve büyük veri taşıma sığası sunması, daha hızlı uç elemanlarına ve elektronik tümdevrelerine gereksinim olduğu gerçeğini de beraberinde getirmiştir. Yarıiletken teknolojisindeki yeni gelişmeler sonucu ortaya çıkmış bulunan heterostructure” ve “heterojunction” yarı iletken devre/kırmık elemanları, fiber iletişimin öngördüğü hızlı veri taşıma ve düşük gürültü özelliğini bir arada sunabildiklerinden, fiber optik alıcı ve vericilerinin uç elemanları olarak geniş kullanım alanı buldular. SiGe çift kutuplu (bipolar) tranzistorunun geliştirilmesiyle, bu teknoloji ürünü tranzistorlar, fiber optik alıcılarında uç elemanı olarak kullanımlarında önem kazanmışlardır. SiGe teknolojisi, çift kutuplu Si tranzistorun Baz bölgesine belirli oranda Germanyum katkılanmasıyla, aynı boyutlardaki bilinen çift kutuplu tranzistora (BJT) göre daha büyük fT kesim sıklığı olanağını sunmuştur. Baz bölgesi dağılmış direncinin de daha düşük değerlere düşmesi sonucunda da, daha düşük gürültülü uç elemanlar gerçeklenebilmesine olanak sağlamıştır. Bu üstünlükleriyle SiGe, yukarıda sözü edilen III-V ve HBT yapılarıyla rekabet etme şansı bulmuştur. Ardından SiGe BiCMOS teknolojisi, alcının analog ve sayısal tüm öbeklerinin aynı kırmık üzerinde tümleştirme olanağını da sunabildiğinden, düşük gürültülü, geniş bantlı ve düşük maliyetli çözümler gerçeklemede söz konusu alanlar için çok çekici olmuşlardır. Vericideki lazer diyot aracılığı ile sayısal veri, ışık kaynağına dönüştürülür ve fiber kabloya gelir. Fiber kablo içinde yitime ve dağılıma (dispersion) uğratılan, modüle edilmiş (kodlanmış), sayısal bilgi taşıyıcısı ışık, alıcıdaki foto diyot tarafından yeniden elektrik akımına dönüştürülür. Burada bu elektrik akımı, önce TIA tarafından yükseltilip kendisiyle orantılı gerilime dönüştürüldükten sonra, ikincil kuvvetlendirici ile (post amplifier, PA) genliği daha da artırılarak saat devresine (clock and data recovery, CDR) gönderilir. Saat devresinde saat işareti ve veri bilgisi ayrıştırılır ve daha küçük hızlara azaltılmak için “DEMUX” devresine gönderilir. CDR bir eşik gerilimi üretir. Bu eşik geriliminin üzerindeki genlik sayısal “1”, altındaki genlik sayısal “0” olarak belirlenir. Burada CDR, bu süreci gerçekleştirmek için her bir darbe süresinin tam ortasında karar verir. Bunu yapmasının nedeni dağılıma ve bozunuma uğratılmış işaretteki farklılaşmaları göz önüne alarak en güvenli bit çözümlemesini gerçekleştirmesidir. Bu noktada TIA tasarımının büyük önemi bulunmaktadır. Çünkü TIA işaretin foto diyottan sonra uğradığı en ön kattır ve bütün alıcının gürültüsünü büyük oranda bu katın gürültüsü belirleyecektir. Dolayısıyla gerçekleştirilecek TIA’nın düşük gürültülü olması gereklidir. Dağılım/bozunum etkilerinden kaynaklanan kare dalgadaki bozulmalar, gürültünün de etkisiyle her bir darbenin CDR tarafından yanlış çözümlenme olasılığını artıracaktır. Bunun önüne geçmek için alıcının duyarlılığı belirli bir hata payı üzerinden hesaplanır. Doğal olarak, TIA’nın bu duyarlılığa etkisi büyüktür. Bu duyarlılık, fiber iletişim kurallarının belirlediği bit-hata-oranı (bit-error-rate, BER) üzerinden hesaplanır ve göz diyagramları (eye diagrams) çıkıştaki işaretin ne derece düzgün olduğunu görmemizi sağlar. Bu projede 10 Gbit/s gibi hızlı bir uygulama hedeflendiğinden TIA’nın geniş bantlı olması gerekeceği açıktır. Bu düzeydeki bir hızla modüle edilmiş işaret; bant genişliği yeterli olmayan bir TIA’ya uğradığında, işarette bozulmalar meydana gelecek ve göz diyagramında yatay ve dikey kapanmalar gözlenecektir. Bununla birlikte gereğinden fazla bant genişliği girişte daha büyük toplam gürültüye neden olacağından, TIA’nın bant genişliği ve gürültüsü arasında bir uzlaşının sağlanması gerektiği açıktır. 10 Gbit/s NRZ koduna sahip veri işareti için yaklaşık 7 GHz bant genişliğine sahip bir uç devresi fiber optik alıcılar için yeterli olabilmektedir. Sıklık (frekans) domenindeki düzgün sıklık tepesi ve yeterli bant genişliği ölçümleri, çıkıştaki işaretin şeklinin düzgün olabilmesi için yeterli değildir. Dolayısıyla işaretin evresindeki (phase) değişimler de gözlemlenmelidir. Yeteri kadar doğrusal olmayan evre tepkesi ya da düşük evre paylı işaret, geçici rejim (transient) ölçümlerinde aşımlara neden olabilmektedir. Gürültü ve hız arasındaki optimizasyonda TIA’nın kazancı, düşük güçlü ve tek besleme kaynağına sahip olması gibi diğer önemli ve ayırt edici özelliklerin de eklenmesiyle, TIA tasarımında bu özelliklerin arasından istenen hız için en optimum performansı sağlayacak sonuçlar elde edilmeye çalışılmalıdır. Çünkü sahip olunan yarı iletken teknolojisinin özellikleri ulaşılabilecek performansı büyük ölçüde belirlemektedir. Büyük geçiş-empedansı (transimpedance) kazancı elde etmek aynı zamanda büyük bant genişliği elde etmeyi sınırladığından genellikle ikincil kuvvetlendiriciye ihtiyaç duyulur. Bu ikincil kuvvetlendiriciler farksal yapıya sahiptir. CDR’deki veri çözümleme işlemi için birkaç yüz mili volt yeterli olabilmektedir. Dolayısıyla TIA’dan elde edilecek 50-60 dBΩ mertebelerindeki kazanca ilaveten 30-40 dB aralıklarında ikincil kuvvetlendiriciye ihtiyaç olacaktır. TIA’nın fark kuvvetlendiricisi şeklinde tasarlanması güç kaynağı dalgalanmalarını, ortak biçim gürültüsünü ve parazitik etkenlerin neden olabileceği kararsızlık sorunlarını büyük ölçüde giderir. Aynı zamanda ikincil kuvvetlendiricide ayrıca bir referans gerilim üretecini gerekli kılmaz. Bu anlamda farksal yapıyı ihtiva eden TIA tekil yapıya göre daha avantajlıdır. Ancak farksal yapıdaki ilave tranzistorlar ve tümdevre elemanları, gürültünün artmasına dolayısıyla duyarlılığın kötüleşmesine de neden olacaktır. İlaveten, foto diyotun tek çıkış üretmesine karşılık TIA’nın iki girişi olması, asimetrik sorunlara neden olacaktır. Bunun için bu çalışmada foto diyot TIAnın diğer ucunda da modellenmiştir. TIA tasarımında yukarıda belirtilen performans ölçütlerine ulaşmak için geliştirilen/sunulan değişik devre yapıları ve performans arttırıcı teknikler kaynaklarda vardır. Bu çalışmada bunlara değinilmiş ancak tasarlanan devrenin iyi sonuçlar vermesiyle bu yapıları kullanmaya gereksinim kalmamıştır. Bu çalışmada 10 Gbit/s hızındaki fiber optik uygulamaları için fiber optik alıcının en önemli katlarından birisi olan geçiş-empedansı kuvvetlendiricisi (transimpedance amplifier) tasarlanmış, devrenin benzetimleri gerçekleştirilmiş ve sonuçları sunulmuştur. Söz konusu yarı iletken teknolojisi ile en iyi devre yapıları ve mimarileri incelenmiş, analizleri ve benzetimleri yapılmıştır. En iyi sonuçlar paralel-direnç geri besleme devresi kullanılarak elde edilmiştir. Düzgün bir sıklık tepesi ile 9 GHz kesim frekansı elde edilmiştir. İlaveten, oldukça doğrusal evre tepkesi sonucuna ulaşarak, 1ps den daha az grup gecikmesi (group delay) değişimi elde edilmiştir. 58 dBΩ farksal TIA kazancı sağlanmış ve 1.061 μA toplam giriş gürültüsü ile 15 μApp elektrik duyarlılığı elde edilmiştir. En yüksek farksal çıkış işareti salınımı 320 mVpp’dir. Güç tüketimi tek besleme kaynağından, 3.3 V ile 71 mW’dır. Her bir TIA tasarımı için ayırt edici ölçüt olan ortalama giriş gürültüsü 11.18 pA/√Hz’dir. Gerçeklenen TIA, PA ile aynı kırmık içinde gerçeklenmemesi durumunda, S22 benzetimi 1 GHz ile 9 GHz arasında -15 dB’in altında kalacak şekilde elde edilmiştir. Gerçeklenen devre 10-Gbit/s hızı için ve SONET OC-192 standartları için uygun bir devredir.
  • Öge
    +10 Gs/s Zaman Aralıklı Adc İçin 65nm Cmos Teknolojisinde 8-bıt 1 Gs/s Adc Yapısı Ve 4-bıt Flash Adc
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 2015-10-21) Akdikmen, Alper ; Yalçın, Müştak Erhan ; 10090863 ; Elektronik ve Haberleşme Mühendisligi ; Electronic and Communication Engineering
    Haberleşme sistemlerinin veri aktarım sıklıkları ve bant genişlikleri sürekli olarak artmaktadır. Sayısal yarıiletken teknolojilerindeki gelişmeler, haberleşme sistemlerindeki işaret işleme kısımlarını sayısal domenine almıştır. Sayısal işaret işlemenin avantajları, ideal olmayan durumlara yüksek tolerans, gerçekleme kolaylığı, bir fonksiyonu gerçeklemek için gereken alanın dolayısıyla maliyetin düşük olması ve yeni teknolojilere taşınabilme olarak sayılabilir. Bu avantajlardan faydalanmak için analog işaretleri sayısal domene almada köprü görevi görecek yüksek hızlı analog-sayısal dönüştürücülere(ADC) ihtiyaç vardır. Kablolu ve kablosuz haberleşme teknolojilerinde 10 GHz'yi de aşan bant genişlikleri tek kanallı ADCleri bu iş için elverişsiz kılmaktadır. Zaman aralıklı ADCler gerek ulaşabilecekleri dönüştürme hızı gerek güç verimliliği açısından iyi bir aday olarak karşımıza çıkar. Zaman aralıklama, tek kanallı eş ADClerin sıra ile kullanılması esasına dayanmaktadır. Sıradaki örneği alan ADC, sıra tekrar kendisine gelene kadar bu örneği dönüştürür. Dolayısıyla toplam dönüştürme hızı, tek bir dönüştürücünün hızı ile kanal sayısının çarpımı kadar olmaktadır. Bu şekilde yüksek dönüştürme hızları elde edilebilir. Ayrıca bu şekilde tek kanal ADCler daha fazla hız elde etmek için güç bakımından verimsiz oldukları noktalara itilmez ve daha verimli yapılar ortaya çıkar. Zaman aralıklı ADClerdeki kanal uyumsuzlukları performansı düşürmektedir. Bu hatalar temel olarak dengesizlik, kazanç ve zamanlama uyumsuzluklarından ileri gelmektedir. Zamanlama hataları kestirilmeleri ve düzeltilmeleri noktasında diğerlerinden daha zorludur ve bu durum yüksek frekanslarda daha da zorlaşmaktadır. Zaman aralıklı ADClerdeki zamanlama hatalarının kestirilmeleri ve düzeltilmeleri güncel bir araştırma konusu teşkil etmektedir. Hataların kalibrasyonu ön planda veya arka planda yapılabilir. Arka planda yapılan kalibrasyon sistemin işlerliği ile ilgili herhangi bir sıkıntı yaratmaması ve değişen çevre şartlarına uyum sağlayabilme esnekliği açısından daha avantajlıdır. Zaman aralıklama hataları frekans spektrumunda çıkıntılar(spur) oluşturmaktadır. Bu çıkıntılar, güçlü olmaları durumunda alıcı kısmındaki devreleri sıkıştırma noktasına iterek modülasyonlu işaretlerin sezilmesini zorlaştırabilir veya giriş işaretini tamamen engelleyebilirler. Dolayısıyla kanal uyumsuzluk hataları özellikle kablosuz haberleşme sistemleri için sorun teşkil etmektedir. Bu sorunlardan kurtulmak için kanalları rastgele kullanmaya dayanan bir teknik önerilmiştir. Bu teknik ile kanallardan kaynaklanan hatalar çıkışa rastgele bir sırayla etki yaptıklarından gürültü gibi bir karaktere geçerler. Dolayısıyla frekans spektrumundaki çıkıntılar söndürülmüş olur. Tekniğin bir diğer avantajı arka planda çalışmasıdır. Ancak dikkat edilmelidir ki bu teknik bir hata düzeltme tekniği değildir, dolayısıyla sistemin işaretgürültü oranını iyileştirmemektedir. Kanal uyumsuzluk hatalarının kestirilmesi gibi, saat işaretlerinin dağıtılması da artan kanal sayısı ile zorlaşmaktadır. Ayrıca yüksek kanal sayısına sahip olan zaman aralıklı ADClerde saat işareti dağıtımının tükettiği güç yüksek seviyelere ulaşabilir. Belli bir dönüştürme hızı için kanal sayısını düşük tutmak ise kanal ADClerinin dönüştürme hızlarını arttırmak ile mümkündür. ADClerin hızları yüksek tutulurken aynı zamanda güç verimliliği de yüksek tutulmalıdır. Bu hedefler doğrultusunda 8-bit 1 GS/s bir çevrimde birden fazla bit dönüştüren bir SAR ADC yapısı önerilmiştir. Bir çevrimde birden fazla bit dönüştüren SAR ADCler, tek kanalda yüksek hızlara çıkmak konusunda sıkça kullanılan bir yöntem olarak karşımıza çıkmaktadır. Bunun yanında ilk üç en anlamlı bit bir flash ADC ile dönüştürüldüğünden önemli hız kazanımları elde edilir. Flash ADC çıkışında bir kod çözücü yapısı kullanılmaması da zaman kazanımında etkilidir. Önerilen ADC yapısında özgün bir dönüştürme algoritması kullanılmaktadır. Algoritma temel olarak, dönüştürme fazlarına fazladan seviyeler eklemek ve fazların aralıklarını kesiştirmek sureti ile devre bloklarının hata toleranslarını arttırmasına dayanmaktadır. Bu nedenle herhangi bir kalibrasyon sistemine ihtiyaç duyulmaz dolayısıyla güç tüketimi azaltılabilir. Bu yapının gerçeklenebilmesi için çoklu seviye üreten bir ön kuvvetlendirici önerilmiştir. Önerilen ön kuvvetlendirici yapısı nedeniyle, algoritmadaki farklı fazlar için tek bir ön kuvvetlendirici kullanılabilmektedir. Bu sayede farklı ön kuvvetlendiricilerden kaynaklanacak dengesizlik uyumsuzluklarının da önüne geçilmiş olur. Yüksek hızlı veri dönüştürücülerin gerçeklenmesindeki en etkili devre bloğu, kendisi de 1 bitlik bir ADC olarak sayılabilecek karşılaştırıcı devreleridir. Karşılaştırıcı devresinin hızı, doğruluğu ve güç tüketimi bir ADCnin ilgili performans parametrelerini doğrudan etkilemektedir. Yüksek karşılaştırma hızlı özgün bir gömülü ön kuvvetlendiricili karşılaştırıcı devre önerilmiştir. Yapı geleneksel dinamik sezme kuvvetlendiricisi devresi temel alınarak tasarlanmıştır. Ek olarak giriş farksal kuvvetlendirici bölümüne bir statik akım kaynağı bağlanmıştır. Bu şekilde dinamik karşılaştırıcı yapısına ön kuvvetlendirici gömülmüş olur. Yapı geleneksel yapılara nazaran, hız, dengesizlik, güç tüketimi ve geri tepme gürültüsü açısından iyileştirmeler içermektedir. 8-bit 1 GS/s bir çevrimde birden fazla bit dönüştüren SAR ADC yapısı, ilk 3 biti olabildiğince hızlı dönüştürmek için bir flash ADC yapısı kullanmaktadır. Flash ADC yapılarının önemli hız avantajlarına rağmen, karşılaştırıcı devrelerin dengesizlik ve geri tepme gürültüsü performansı düşürmektedir. Önerilen gömülü ön kuvvetlendiricili karşılaştırıcı devresi dengesizlik performansını ve geri tepme gürültüsünü iyileştirmektedir. Ancak geri tepme gürültüsünden kaynaklanan hataları tam olarak çözmek adına, referans gerilimleri de giriş işaretleri gibi örneklenebilir. Bu teknik ile karşılaştırıcı geri tepme gürültüsünün giriş ve referans gerilimi üzerindeki etkisi eşitlenmekte ve geri tepme gürültüsünün etkisi bertaraf edilmektedir. ADC girişleri örneklenerek geldiğinden ve örnekleme devrelerindeki bir hata doğrudan ADCye iletileceğinden bu devrelerin performansı çok önemlidir. Çapraz bağlamalı anahtar tekniği kullanılarak anahtarların doğrusallığı iyileştirilmiştir. Aynı zamanda çapraz bağlama tekniği anahtar yük enjeksiyonu hatasını giriş işaretinden bağımsız hale getirmektedir. Bu durum, yukarıda bahsedilen referans örnekleme tekniği ile birleştirildiğinde flash ADC için önemli bir doğruluk iyileştirmesi sağlamaktadır. ADC blokları ST Microelectronics 65 nm CMOS teknolojisinde tasarlanmış ve serimleri yapılmıştır. Serim sonrası benzetim sonuçları tasarımların ve kullanılan tekniklerin doğruluğunu göstermektedir. Tasarlanan ADC Haziran 2015'de üretime yollanmıştır. Kasım 2015'de ölçümlere başlanması planlanmaktadır.
  • Öge
    10 Katlı Çelik Bir Binanın Deprem Yükleri Altında Değişik Güçlendirme Şekillerine Göre İrdelenmesi
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Salıbaşı, Bahadır ; Çağlayan, Barlas Özden ; Deprem Mühendisliği ; Earthquake Engineering
    Bu tez çalışmasında 10 katlı bir çelik yapının TS-648’e göre düşey ve rüzgar yükleri altında boyutlandırılıp, Deprem Yönetmeliği’nde belirtilen deprem kuvvetine göre iki değişik şekilde güçlendirilmesi, ilgili çizimlerin hazırlanması ve bu güçlendirmelerin maliyet analizi yapılmıştır. Yapının taşıyıcı sistemi çelik çerçevelerden meydana gelmektedir. Yapı, bir zemin kat ve dokuz normal kattan oluşmaktadır. Zemin kat 3.80 m, normal katlar ise 4.45+7 3.20+2.40 m’dir. Döşeme sistemi olarak kompozit döşeme sistemi seçilmiştir. Yapı, birinci derece deprem bölgesinde ve Z4 sınıfı zemin üzerinde yer almaktadır. Zemin emniyet gerilmesi 250 kN/m2 , zemin düşey yatak katsayısı 20000 KN/m3 alınmıştır. Yapıda taşıyıcı sistem ve levhalarda St-37 kalitesinde yapısal çelik, döşemede BS20, temelde BS25 kalitesinde beton döşemede BÇIV ve temelde BÇIII kalitesinde betonarme çeliği kullanılmıştır. Dışmerkez çaprazlı ve merkezi çaprazlı olmak üzere iki adet güçlendirme çalışması yapılmış, gerekli kesitler çelik levhalar ile güçlendirilmiş ve birleşimler takviye edilmiştir. Düşey ve rüzgar yüklerine göre temel sistemi rijit zemine oturan tekil temel çözümü ile boyutlanmıştır. Depremli durumda temel sistemi radye temel olarak güçlendirilmiştir. Güçlendirme için yapılan bilgisayar programında temel sistemi zemin düşey yatak katsayısından hareketle bulunan çökme yayları tanımlanarak modellenmiştir.
  • Öge
    10 Katlı Çelik Bir Büro Binasının Eurocode 3’e Göre Karşılaştırmalı Boyutlandırılması
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Ceylan, Özge Gülşan ; Bayramoğlu, Güliz ; Yapı Mühendisliği ; Structural Engineering
    Bu çalışmada, çatı katı kafes sistem olmak üzere 10 katlı, bir doğrultusu süneklik düzeyi yüksek çerçevelerden, diğer doğrultusu ise süneklik düzeyi yüksek dışmerkez çelik çaprazlı perdelerden oluşan, her iki doğrultuda da konsollara sahip bir büro yapısının statik analizi, detay hesapları ve temel hesabı yapılmıştır. Ayrıca, döşeme kirişleri, basit kiriş, sürekli kiriş, kompozit basit kiriş ve petek basit kiriş olarak 4 farklı şekilde tasarlanmıştır ve kullanılan kesitler gözönüne alınarak ekonomi yönünden karşılaştırma yapılmıştır. Bunun dışında yapıda, süneklik düzeyi yüksek dışmerkez çelik çaprazlı perde yerine süneklik düzeyi yüksek merkezi çelik çaprazlı perde kullanılarak yeniden analiz yapılmıştır. Sonuç olarak, yapılan çalışmalar ve amacı değerlendirilmiş, yapının iki farklı şekilde analiz edilmesi sonucu ortaya çıkan farkların karşılaştırması yapılmıştır.
  • Öge
    10 Katlı Çelik Bir Ofis Binasının Boyutlandırılması Ve İlerlemeli Çökme Analizi
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 2012-06-05) Şehirali, Ahmet Serdar ; Bayramoğlu, Güliz ; 430197 ; Yapı Mühendisliği ; Structural Engineering
    Yüksek lisans tezi olarak sunulan bu çalışmada, 10 katlı bir ofis binasının TS 648 ve DBYBHY 2007’ye göre boyutlandırılması yapılmış olup, Amerikan Savunma Bakanlığı’nın UFC 4-023-03 kıstasına göre ilerlemeli çökmeye karşı davranışı incelenmiştir. Tezin ilerlemeli çökme analizi ile ilgili kısımları Almanya’da Hamburg Teknik Üniversitesi’nde yürütülmüş diğer kısımlar İTÜ’de çalışılmıştır. İlk bölümlerde yapının boyutlandırılması üzerinde durulmuştur. Yapı normal süneklik özelliği gösteren, kompozit döşeme sisteminde teşkil edilen ve genel hatlarıyla rijit çerçevelerden oluşan bir yapıdır. Döşeme kirişleri IPE 270, kat kirişleri HE 450B, kolonlar ise HE 600B ve HE 700M profilleri kullanılarak boyutlandırılmıştır. Döşeme kirişlerinin kompozit kiriş olarak boyutlandırılırsa IPE 270, basit kiriş olarak boyutlandırılırsa IPE 330 profili kullanılması gerektiği sonucuna varılmış bu nedenle daha ekonomik olan kompozit döşeme sistemi yapı için seçilmiştir. Döşeme kirişi ile kat kirişi birleşimlerinde yüksek mukavemetli bulonlu birleşimler tercih edilmiştir. Kat kirişi ile kolonların mafsallı birleşimlerinde gene yüksek mukavemetli bulonlu birleşimler ancak rijit birleşimlerinde ise kaynaklı birleşimler tercih edilmiştir. Kolon eklerinde öngerilmeli yüksek mukavemetli bulonlar kullanılmıştır. Ankastre kolon ayaklarında ise uygun ve yeter miktarda ankraj bulonları kullanılmış olup bunların temele bağlantısı ankraj profilleri ile sağlanmıştır. İlerlemeli çökmeye karşı yapının incelenmesi ile ilgili çalışmanın teorisi ve uygulaması ilerleyen bölümlerde anlatılmıştır. İlerlemeli çökmenin öneminden bahsedilmiş, uygulanması gereken yollar ve seçilecek analiz prosedürleri açıklanmıştır. Ayrıca yapıya uygulanması gereken yeni yüklerin hesabı anlatılmıştır. Yapının ilerlemeli çökmeye karşı yeniden dizaynının gerekli olup olmadığı incelenmiştir. Yapının, herhangi bir köşesinde veya kenarında, iki veya üç kolon ardı ardına, herhangi bir dış etken nedeni ile (patlama, çarpma vs.) yıkılırsa, yapının ilerlemeli çökmeye başlayacağı, ancak tekli kolon yıkılmalarında yapının güvenli bir şekilde ayakta kalmaya devam edeceği, sonuçlarına varılmıştır. Eğer yapı ilerlemeli çökmeye karşı yeniden dizayn edilecekse bu durumun göz önüne alınması gerektiği üzerine durulmuştur. Ancak bu çalışmada, tekli kolon yıkılmalarına karşı binanın ayakta kalma kabiliyeti yeterli görülmüş ve yapı yeniden dizayn edilmemiştir. Kuşkusuz, kolon ve kiriş kesitleri arttırılarak yapının daha rijit bir hale getirilmesi sonucu yıkımların önüne geçmek mümkündür. Belki ekonomik açıdan olumlu sonuçlar alınmayacak fakat daha da önemli olan olası can kayıpları mümkün olduğunca önlenmiş olacaktır.
  • Öge
    10 Katlı Çelik Bir Yapının Deprem Yükleri Altında Tasarımı
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, ) Ercan, Armağan ; Piroğlu, Filiz ; Yapı Mühendisliği ; Structural Engineering
    Bu tez çalışması deprem yüklemesi gözönüne alınmadan boyutlandırılmış olan Paris’te bulunan 10 katlı çelik bir binanın, yeni Deprem Yönetmeliği’nin getirmiş olduğu yeni hesap şartlarına göre, süneklik düzeyi yüksek merkezi çaprazlı çelik çerçeveler kullanılarak karşılaştırmalı boyutlandırılmasını içermektedir. Deprem yüklemesinden bağımsız olarak boyutlandırılmış olan bu binanın mimari planı örnek alınmıştır. Binanın yönetmeliklere uymasının yanında hem ekonomik hem de hafif olmasına dikkat edilmiştir. Çaprazların tipi ve kullanılan profiller bu şartların sağlanması amacıyla seçilmiştir. Yapıda süneklik düzeyi yüksek sistem ve merkezi çelik çaprazlı perdeler uygun görülmüş, buna göre hesaplar yapılmıştır. Yapının taşıyıcı sisteminin çözümü üç boyutlu olarak SAP 2000 ile yapılmıştır. Bu programın statik sonuçlarından gerilme ve yük değerleri okunmuş, boyutlandırma ve dinamik analiz tahkik edilmiştir. Kompozit hesaplar TS kapsamında olmadığı için Eurocode 4’e göre çözümlenmiştir. Düşey, rüzgar ve deprem yüklerine göre temel sistemi radye temel seçilmiş ve Probina programı ile boyutlandırılmıştır.
  • Öge
    100 % yünlü kamgarn kumaşlarda yırtılma-kopma mukavemeti ilişkisi ve bunları etkileyen parametrelerin incelenmesi
    (Fen Bilimleri Enstitüsü, 2000) Oral, Gülfem ; Kalaoğlu, Fatma ; 101110 ; Tekstil Mühendisliği
    Teknoloji ve rekabet edebilme gücü işletmenin ayakta durmasını ve devamlılığını sağlayan en önemli iki etkendir. Özellikle tekstil, son derece yeniliklere açık ve hızlı değişim gücüne sahiptir. Ülkemiz ekonomisinde tekstil sektörü önemli bir rol oynamaktdır. Artık sadece ucuzu aramayan tüketici kalite, hizmet, yenilik ve hatta çevre-insan sağlığına zarar verip vermediği konusunda da hassasiyet göstermektedir. Hep en iyisini isteyen ve bir çok çeşit arasından seçmeye çalışan tüketici seçimini kolaylaştırmak için bir çok şart koşacaktır. Dolayısıyla hem en yeniyi sunmak hem de müşterinin koymuş olduğu standartları yakalamak üretecinin işini bir hayli güçleştirmektedir.Bu zor şartların yanı sıra hızla sonuca ulaşmak rekabet edebilirlik açısından kaçınılmazdır. Özellikle tekstilde dizayn aşamasında sonuç ürünün kullanım standartları içerisinde olmasını sağlamak oldukça önemlidir. Yünlü kumaş sektörünün kendini hızlı bir biçimde yenileyip yünlü kumaşlada yeni kavramların oluşmasının yanı sıra deneme yanılma yöntemini başvurmaya izin vermeyen günümüz koşullarında, özellikle kullanım standartlarını yakalayan ürünü oluşturmada girdilerin yardımıyla bizi sonuca ulaştıracak modellere ihtiyaç duyulmaktadır. Bu çalışmada da model oluşturmak ve ilgili parametreleri ortaya koyabilmek amacıyla 30 adet farklı konstrüksiyona sahip numune incelenmiştir. Toplamda atkı ve çözgü yönünde olmak üzere 300 adet yırtılma ve 300 adet kopma mukavemeti testi yapılmıştır. Çalışmada iki farklı yaklaşım oluşturulmuştur. Bunlardan biri kumaşın kullanım standartlarının en önemli iki parametresi olan yırtılma ve mukavemetini etkileyen faktörleri ortaya koyma diğeri de bu iki değerin arasındaki ilişkiyi belirlemektir. Birbirine eşdeğer sayılabilecek prosese sahip kumaşların kullanımına dikkat edilmiştir. Sonuçta neticeler örgü grubuna göre sınıflandırılarak Yırtılma -Kopma, Sıklık - Kopma, Sıklık - Yırtılma, İplik Numarası -Kopma, İplik Numarası- Yırtılma olmak üzere ayrı ayrı incelenmiş ve değerlendirilmiştir.