FBE- Elektronik Mühendisliği Lisansüstü Programı - Yüksek Lisans
Bu koleksiyon için kalıcı URI
Gözat
Yazar "Akbulut, Cemal Alp" ile FBE- Elektronik Mühendisliği Lisansüstü Programı - Yüksek Lisans'a göz atma
Sayfa başına sonuç
Sıralama Seçenekleri
-
ÖgeMRC ve akım taşıyıcı elemanları ile devre sentezi(Fen Bilimleri Enstitüsü, 1995) Akbulut, Cemal Alp ; Acar, Cevdet ; 46169 ; Elektronik MühendisliğiBu tezde literatürde MOSFET-C filtre tasannu olarak bilinen aktif filtre sentezi öne sürülmektedir. Aktif filtre elemanı olacak positif akım taşıyıcı bloğu ve direnç olarak Czamul tarafından öne sürülen MRC ( MOS Resistive Circuit ) bloğu kullanılmaktadır. MRC elemanı esasında Tsividis tarafından öne sürülen yapının değiştirilmiş şeklidir. Tsividis'in öne sürdüğü yapı dengeli yapıdaki işlemsel kuvvetlendiriciler ile kullanılabilmekte ve tam olarak lineer değildi, sadece tüm çift terimli tranzistor nonlineerlikleri yok edebilmektedir. Czarnul, Tsividis' in yapısına çapraz bağlı iki MOS elemanı daha ekleyerek MRC yarışım oluşturmuştur. Böylece MRC bloğu fiziksel olarak aynı ve eş boyuttaki dört MOS tranzistordan oluşan giriş fark gerilimini çıkışta fark akımına dönüştüren, iki kontrol geriliminin farkıyla orantılı bir admitans elemanı oluşturan bir yeni yapı olarak ortaya çıkmış olmaktadır. MRC elemanının akım-gerilim bağıntısından ortaya çıkan sonuçlar aşağıdaki gibi özetlenebilir: 1) Mobilite kanal boyunca sabit varsayılmaktadır. 2)Direnç değeri eşik gerilimine ve gövde etkisi terimine bağlı değildir 3) Direnç sadece fark gerilimi ile ayarlanır ve dinamik aralık kontrol gerilimlerini aynı anda arttırarak arttırılabilir. 4) Direnç değeri taban gerilimine bağlı değildir. MRC elemanı dengeli modda olmak ararımda değildir, sadece akım çıkışındaki uç gerilimlerinin aym potansiyelde olması gerekmektedir. Bu elemanın AinamiV aralığı vb küçük işaret yüksek frekans davranışının elverişliliği bu tezde tercih edilmesinin temel nedenidir. Aktif eleman olarak seçilen positif akım taşıyıcı tanun bağıntısı gereğince MRC ile kullanılmaya uygun olduğu için seçilmektedir. Ayaca positif akün taşıyıcıların band genişliği birkaç MHz ' 1er civarında olması da önemli bir avantajdır. Bölüm 1 ' de aktif filtre tasarımının pasif filtre tasarımına karşı üstünlüğü açıklandıktan sonra alam taşıyıcı vb CMOS direnç gerçeklemeye yönelik literatürdeki çalışmalar verilmektedir. Bölüm 2 ' de alam taşıyıcının vb MRC elemanının matematiksel modellenmesi verilmektedir. işlemsel kuvvetlendirici temelli bir positif akım taşıyıcı bu bölümde verilip bu topolojinin dinamik aralığı teorik ve pratik olarak verilmektedir. Bölüm 3 ' te transfer fonksiyonu gerçeklerken kullanılabilecek temel yapı taşlan sunulmaktadır. Bölüm 4'te universal filtre gerçeklemeye yönelik işaret akış diyagramı temelli bir yöntem sunulmuş vb daha sonra basamaklı devre simülasyonu için bir yöntem üzerinde yoğunlaşılmaktadır. Bölüm 5'te ise simülasyon vb MOS sayısı minimize etme yöntemi sunulmaktadır.