Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11527/1097
Title: 0.1-8ghz Cmos Dağılmış Parametreli Kuvvetlendirici
Other Titles: 0.1-8ghz Cmos Distributed Amplifier
Authors: Yazgı, Metin
Kılıç, Ali Ekber
Elektronik Mühendisliği
Electronics Engineering
Keywords: Dağılmış parametreli kuvvetlendirici, CMOS, Radyo frekansı
Distributed Amplifier
CMOS
Radio Frequency
Publisher: Fen Bilimleri Enstitüsü
Institute of Science and Technology
Abstract: Geniş bantlı kuvvetlendiricilerin ölçüm düzenleri, askeri elektronik, televizyon, radar ve geniş bantlı optik haberleşme gibi birçok kullanım alanı bulunmaktadır. Bu uygulamalar için genellikle dağılmış parametreli kuvvetlendirici yapısı kullanılmaktadır. Çünkü bu yapı klasik kazanç-bant genişliği ilişkisi ile sınırlanmamaktadır. Dağılmış parametreli kuvvetlendirici yapısında kazanç elemanlarının giriş ve çıkış kapasiteleri, yapay iletim hatlarının içine dahil edilmektedir. Böylece farklı hücrelerin kapasiteleri birbirlerinden ayrılmakta, aynı zamanda çıkış akımları ise hala toplanabilmektedir. Son on yılda boyut alanında devam eden küçülme sayesinde, eşlenik metal-oksit-yarıiletken (CMOS) teknolojisi dağılmış parametreli kuvvetlendirici gerçekleştirmek için ciddi bir alternatif olmuştur. Ayrıca CMOS dağılmış parametreli kuvvetlendiriciler düşük maliyet ve temel bant devreleriyle tümleştirme avantajlarına da sahiptir. Bu tezin en genel amacı dağılmış parametreli kuvvetlendirici tasarım tekniklerini araştırmak ve bu teknikleri kullanarak 0.35μm CMOS teknolojisi ile tamamen tümleştirilmiş bir dağılmış parametreli kuvvetlendirici gerçekleştirmektir. Teorik araştırmaları ve benzetim sonuçlarını doğrulamak amacıyla 0.35μm CMOS teknolojisi ile tek uçlu bir kuvvetlendirici tasarlanmış ve üretime gönderilmiştir. Bu kuvvetlendirici 0.1-8GHz aralığında 8±1 dB kazanç sağlamakta ve 1.5V beslemeden 18mA akım çekmektedir. Kuvvetlendiricinin toplam alanı 1.67x0.93 mm2 dir.
Wideband amplifiers have many applications such as instrumentation, electronic warfare, television, pulsed radars, and broad-band optical communication. For such applications, a distributed amplifier (DA) topology is often employed since it is not limited by the classical gain-bandwidth tradeoff of amplifiers. In a DA topology input and output capacitances of gain elements are incorporated into the artificial transmission lines. So that the capacitances of different cells are separated while their output currents can still be summed. In the last decade, Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) technology has become a serious alternative for realizing DAs as a result of continuous scaling in the technology. Also CMOS DAs have the advantages of low cost and integration ability with baseband circuits. The global objective of this thesis is to investigate design techniques for the CMOS DA, and to use these techniques to demonstrate a fully integrated DA using 0.35μm CMOS technology. To verify the theoretical investigations and simulation results, a single ended distributed amplifier was designed in 0.35μm CMOS technology and sent to the fabrication. The amplifier achieves 8±1 dB gain over 0.1-8 GHz band while drawing 18mA from 1.5V power supply. The total area of the amplifier is 1.67x0.93 mm2.
Description: Tez (Yüksek Lisans) -- İstanbul Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 2007
Thesis (M.Sc.) -- İstanbul Technical University, Institute of Science and Technology, 2007
URI: http://hdl.handle.net/11527/1097
Appears in Collections:Elektronik Mühendisliği Lisansüstü Programı - Yüksek Lisans

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
7235.pdf1.69 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.